and neuromorphic computing. The book "Semiconductor Memory Devices and Circuits" delves into the intricacies of semiconductor memory technology, from the fundamental structures of memory devices to the design of sophisticated memory arrays. It emphasizes recent developments and emerging trends in the field, highlighting the potential of these advancements to transform the memory hierarchy and revolutionize various industries. The text is intended for graduate students and researchers in electrical and computer engineering, as well as professionals in the semiconductor and microelectronics sectors. The first section of the book covers mainstream memory technologies, providing an in-depth examination of basic bitcell structures like 6-transistor SRAM, 1-transistor 1-capacitor DRAM, and floating gate charge trap FLASH transistors. The discussion includes the design of peripheral circuits such as sense amplifiers and array-level organization, offering a comprehensive understanding of memory device architecture. The second part of the book explores emerging memory candidates that could potentially disrupt the traditional memory hierarchy. These include phase change memory (PCM), resistive RAM (RRAM), spin-transfer torque magnetic random access memory (STT-MRAM), and ferroelectric RAM (FeRAM). The author discusses the challenges and prospects of these innovative technologies, as well as their applications in in in-memory computing, AI hardware acceleration, and neuromorphic computing. As technology continues to evolve at an unprecedented pace, it is essential to develop a personal paradigm for perceiving and understanding the technological process of developing modern knowledge. This involves adapting our approach to studying new technologies and embracing simplified and accessible text formats to facilitate human perception, analysis, and comprehension. The book "Semiconductor Memory Devices and Circuits" provides a valuable resource for individuals seeking to stay abreast of cutting-edge advancements in the field while also fostering a deeper appreciation for the significance of technological progress in shaping our collective future. Moreover, the text highlights the importance of interdisciplinary collaboration and knowledge sharing among experts from diverse fields to overcome the challenges associated with emerging memory technologies. In a world where nations are increasingly divided by geopolitical and ideological differences, the survival of humanity and the unity of people in a warring state rely on our ability to come together and leverage technological advancements for the betterment of all. By embracing this vision, we can harness the power of innovation to bridge gaps and create a more harmonious future for generations to come.

и нейроморфные вычисления. Книга «Semiconductor Memory Devices and Circuits» углубляется в тонкости технологии полупроводниковой памяти, от фундаментальных структур запоминающих устройств до проектирования сложных массивов памяти. Он подчеркивает последние события и новые тенденции в этой области, подчеркивая потенциал этих достижений для преобразования иерархии памяти и революции в различных отраслях. Текст предназначен для аспирантов и исследователей в области электротехники и вычислительной техники, а также профессионалов в секторах полупроводниковой и микроэлектроники. Первый раздел книги охватывает основные технологии памяти, обеспечивая углубленное изучение базовых структур битовых ячеек, таких как 6-транзисторная SRAM, 1-транзисторная 1-конденсаторная DRAM и флэш-транзисторы с ловушкой заряда плавающего затвора. Обсуждение включает в себя проектирование периферийных схем, таких как усилители считывания и организация на уровне массива, предлагая всестороннее понимание архитектуры устройства памяти. Во второй части книги рассматриваются появляющиеся кандидаты в память, которые потенциально могут нарушить традиционную иерархию памяти. К ним относятся память с изменением фазы (PCM), резистивная оперативная память (RRAM), магнитная оперативная память с передачей спинового крутящего момента (STT-MRAM) и ферроэлектрическая оперативная память (FeRAM) .Автор обсуждает проблемы и перспективы этих инновационных технологий, а также их применения в вычислениях в памяти, аппаратном ускорении искусственного интеллекта и нейроморфных вычислениях. Поскольку технологии продолжают развиваться беспрецедентными темпами, важно разработать личную парадигму восприятия и понимания технологического процесса развития современных знаний. Это включает в себя адаптацию нашего подхода к изучению новых технологий и охвату упрощенных и доступных текстовых форматов для облегчения восприятия, анализа и понимания человеком. Книга «Полупроводниковые устройства и схемы памяти» предоставляет ценный ресурс для людей, стремящихся быть в курсе передовых достижений в этой области, а также способствует более глубокому пониманию значения технического прогресса в формировании нашего коллективного будущего. Кроме того, в тексте подчеркивается важность междисциплинарного сотрудничества и обмена знаниями между экспертами из разных областей для преодоления проблем, связанных с новыми технологиями памяти. В мире, где страны все больше разделены геополитическими и идеологическими разногласиями, выживание человечества и единство людей в воюющем государстве зависят от нашей способности объединиться и использовать технологические достижения для улучшения всех. Принимая это видение, мы можем использовать силу инноваций, чтобы преодолеть пробелы и создать более гармоничное будущее для будущих поколений.

et calculs neuromorphes. livre « Semiconductor Memory Devices and Circuits » explore les subtilités de la technologie de la mémoire semi-conductrice, des structures de mémoire fondamentales à la conception de tableaux de mémoire complexes. Il souligne les développements récents et les nouvelles tendances dans ce domaine, soulignant le potentiel de ces réalisations pour transformer la hiérarchie de la mémoire et la révolution dans les différents secteurs. texte est destiné aux étudiants diplômés et aux chercheurs en génie électrique et informatique, ainsi qu'aux professionnels des secteurs des semi-conducteurs et de la microélectronique. La première section du livre couvre les principales technologies de mémoire, en fournissant une étude approfondie des structures de base des cellules de bit, telles que la SRAM à 6 transistors, la DRAM à 1 transistor à 1 capacité et les transistors flash à piège à charge de grille flottante. Il s'agit de concevoir des circuits périphériques tels que des amplificateurs de lecture et une organisation au niveau de la matrice, offrant une compréhension complète de l'architecture du dispositif mémoire. La deuxième partie du livre examine les candidats à la mémoire émergents qui peuvent potentiellement perturber la hiérarchie traditionnelle de la mémoire. Il s'agit de la mémoire à changement de phase (PCM), de la mémoire RAM résistive (RAM), de la mémoire RAM magnétique à transmission de couple de spin (STT-MRAM) et de la RAM ferroélectrique (FeRAM) calculs neuromorphes. Alors que la technologie continue d'évoluer à un rythme sans précédent, il est important de développer un paradigme personnel de perception et de compréhension du processus technologique du développement des connaissances modernes. Il s'agit notamment d'adapter notre approche à l'apprentissage des nouvelles technologies et de couvrir des formats de texte simplifiés et accessibles afin de faciliter la perception, l'analyse et la compréhension de la personne. livre « Dispositifs semi-conducteurs et circuits de mémoire » fournit une ressource précieuse pour les personnes qui cherchent à se tenir au courant des avancées dans ce domaine et contribue également à mieux comprendre l'importance du progrès technologique dans la formation de notre avenir collectif. En outre, le texte souligne l'importance de la collaboration interdisciplinaire et du partage des connaissances entre des experts de différents domaines pour relever les défis posés par les nouvelles technologies de la mémoire. Dans un monde où les pays sont de plus en plus divisés par des divisions géopolitiques et idéologiques, la survie de l'humanité et l'unité des peuples dans un État en guerre dépendent de notre capacité à s'unir et à tirer parti des progrès technologiques pour améliorer tout le monde. En adoptant cette vision, nous pouvons utiliser le pouvoir de l'innovation pour combler les lacunes et créer un avenir plus harmonieux pour les générations futures.

computación | y neuromórfica. libro «Semiconductor Memory Devices and Circuits» profundiza en las sutilezas de la tecnología de memoria semiconductora, desde las estructuras fundamentales de los dispositivos de almacenamiento hasta el diseño de matrices de memoria complejas. Destaca los acontecimientos recientes y las nuevas tendencias en este campo, destacando el potencial de estos avances para transformar la jerarquía de la memoria y la revolución en las diferentes industrias. texto está dirigido a estudiantes de posgrado e investigadores en ingeniería eléctrica e informática, así como a profesionales de los sectores de semiconductores y microelectrónica. La primera sección del libro cubre las principales tecnologías de memoria, proporcionando un estudio en profundidad de las estructuras básicas de las células de bits, tales como SRAM de 6 transistores, DRAM de 1 transistor y transistores flash con trampa de carga de obturador flotante. La discusión incluye el diseño de circuitos periféricos como amplificadores de lectura y organización a nivel de matriz, ofreciendo una comprensión integral de la arquitectura del dispositivo de memoria. La segunda parte del libro considera candidatos emergentes a la memoria que potencialmente podrían romper la jerarquía tradicional de la memoria. Estos incluyen memoria de cambio de fase (PCM), RAM resistiva (RRAM), RAM magnética con transmisión de par dorsal (STT-MRAM) y RAM ferroeléctrica (FeRAM) computación en memoria, aceleración de hardware de inteligencia artificial y computación neuromórfica. A medida que la tecnología continúa evolucionando a un ritmo sin precedentes, es importante desarrollar un paradigma personal de percepción y comprensión del proceso tecnológico de desarrollo del conocimiento moderno. Esto incluye adaptar nuestro enfoque al estudio de las nuevas tecnologías y abarcar formatos de texto simplificados y accesibles para facilitar la percepción, el análisis y la comprensión humana. libro «Dispositivos semiconductores y circuitos de memoria» proporciona un recurso valioso para las personas que buscan estar al tanto de los avances avanzados en este campo, además de contribuir a una mayor comprensión del significado del progreso tecnológico en la formación de nuestro futuro colectivo. Además, el texto destaca la importancia de la colaboración multidisciplinar y el intercambio de conocimientos entre expertos de diferentes ámbitos para superar los retos que plantean las nuevas tecnologías de la memoria. En un mundo donde los países están cada vez más divididos por diferencias geopolíticas e ideológicas, la supervivencia de la humanidad y la unidad de las personas en un Estado en guerra dependen de nuestra capacidad para unirnos y aprovechar los avances tecnológicos para mejorar a todos. Al aceptar esta visión, podemos aprovechar el poder de la innovación para superar las brechas y crear un futuro más armonioso para las generaciones futuras.

e computação neuromórfica. O livro «Semiconductor Memory Devices and Circuits» aprofundou-se na finitude da tecnologia de memória semicondutora, desde estruturas básicas de armazenamento até a construção de conjuntos complexos de memória. Ele enfatiza os acontecimentos recentes e as novas tendências nesta área, enfatizando o potencial desses avanços para transformar a hierarquia da memória e revolucionar vários setores. O texto é destinado a estudantes de pós-graduação e pesquisadores de engenharia elétrica e computação, além de profissionais dos setores de semicondutores e microeletrônicos. A primeira seção do livro abrange as principais tecnologias de memória, fornecendo um estudo aprofundado das estruturas básicas das células de bate-bate, tais como o SRAM de 6 transistores, o DRAM 1 transistor 1 condensador e os transistores flash com a armadilha de uma carga de isolamento flutuante. A discussão inclui a concepção de esquemas periféricos, tais como amplificadores de leitura e organização ao nível da matriz, oferecendo uma compreensão completa da arquitetura do dispositivo de memória. A segunda parte do livro aborda candidatos à memória que podem perturbar a hierarquia tradicional da memória. Eles incluem memória com variação de fase (PCM), memória de operação resistente (RRAM), memória operacional magnética com RAM (STT-MRAM) e memória operacional ferroelétrica (FeRAM) computação neuromórfica. Como a tecnologia continua a evoluir a um ritmo sem precedentes, é importante desenvolver um paradigma pessoal de percepção e compreensão do processo tecnológico de desenvolvimento do conhecimento moderno. Isto inclui a adaptação da nossa abordagem para o estudo de novas tecnologias e abrangência de formatos de texto simplificados e acessíveis para facilitar a percepção, análise e compreensão humana. O livro «Semicondutores e circuitos de memória» oferece um recurso valioso para as pessoas que querem estar cientes dos avanços neste campo, além de contribuir para uma maior compreensão do significado do progresso tecnológico na formulação do nosso futuro coletivo. Além disso, o texto enfatiza a importância da cooperação interdisciplinar e da troca de conhecimento entre especialistas de diferentes áreas para superar os desafios das novas tecnologias de memória. Num mundo em que os países estão cada vez mais divididos por diferenças geopolíticas e ideológicas, a sobrevivência da humanidade e a unidade das pessoas num Estado em guerra dependem da nossa capacidade de unir-nos e usar os avanços tecnológicos para melhorar todos. Ao aceitar esta visão, podemos usar o poder da inovação para superar as lacunas e criar um futuro mais harmonioso para as gerações futuras.

e neuromorfo computing. Il libro «Semiconductor Memory Devices and Circuits» approfondisce la finezza della tecnologia di memoria semiconduttore, dalle strutture di memorizzazione fondamentali alla progettazione di array di memoria complessi. Sottolinea gli sviluppi recenti e le nuove tendenze in questo campo, sottolineando il potenziale di questi successi per trasformare la gerarchia della memoria e la rivoluzione in diversi settori. Il testo è rivolto a laureati e ricercatori di ingegneria elettrica e informatica e professionisti dei settori semiconduttori e microelettronici. La prima sezione del libro comprende le principali tecnologie di memoria, fornendo uno studio approfondito delle strutture di base delle celle a bit, come la SRAM a 6 transistor, la DRAM a 1 transistor a 1 condensatore e i transistor flash con la trappola della carica flottante. La discussione include la progettazione di diagrammi periferici, quali gli amplificatori di lettura e l'organizzazione a livello di array, offrendo un'ampia comprensione dell'architettura della memoria. Nella seconda parte del libro vengono trattati i candidati alla memoria emergenti che potrebbero compromettere la gerarchia tradizionale della memoria. Questi includono la memoria in fase variabile (PCM), la memoria in linea resistente (RRAM), la memoria in linea magnetica con coppia di spine (STT-MRAM) e la memoria in linea ferroelettrica (FeRAM) calcoli neuromorfi. Poiché la tecnologia continua a crescere a un ritmo senza precedenti, è importante sviluppare un paradigma personale per la percezione e la comprensione del processo tecnologico di sviluppo della conoscenza moderna. Ciò include l'adattamento del nostro approccio allo studio delle nuove tecnologie e la copertura di formati di testo semplificati e accessibili per facilitare la percezione, l'analisi e la comprensione umana. Il libro «Semiconduttori e diagrammi di memoria» offre una preziosa risorsa per le persone che desiderano essere consapevoli dei progressi in questo campo e contribuisce a comprendere meglio l'importanza del progresso tecnologico nella formazione del nostro futuro collettivo. Inoltre, il testo sottolinea l'importanza della cooperazione interdisciplinare e dello scambio di conoscenze tra esperti di diversi ambiti per affrontare i problemi legati alle nuove tecnologie di memoria. In un mondo in cui i paesi sono sempre più divisi dalle divisioni geopolitiche e ideologiche, la sopravvivenza dell'umanità e l'unità delle persone in uno stato in guerra dipendono dalla nostra capacità di unirci e sfruttare i progressi tecnologici per migliorare tutti. Con questa visione, possiamo sfruttare il potere dell'innovazione per superare le lacune e creare un futuro più armonioso per le generazioni future.

und neuromorphes Rechnen. Das Buch „Semiconductor Memory Devices and Circuits“ befasst sich mit den Feinheiten der Halbleiterspeichertechnologie, von den grundlegenden Speicherstrukturen bis zum Design komplexer Speicherarrays. Es hebt die jüngsten Entwicklungen und neuen Trends in diesem Bereich hervor und unterstreicht das Potenzial dieser Fortschritte, die Hierarchie des Gedächtnisses zu verändern und die verschiedenen Branchen zu revolutionieren. Der Text richtet sich an Doktoranden und Forscher aus den Bereichen Elektrotechnik und Computertechnik sowie Fachleute aus den Bereichen Halbleiter und Mikroelektronik. Die erste Abteilung des Buches erfasst die Haupttechnologien des Gedächtnisses, die eingehende Studie der grundlegenden Strukturen der Bitzellen, solcher wie 6-transistor- SRAM, 1-transistor- 1-kondensator- DRAM und die flesch-Transistoren mit der Falle der Ladung des schwimmenden Verschlusses gewährleistend. Die Diskussion umfasst das Design von Peripherieschaltungen wie severstärkern und die Organisation auf Array-Ebene und bietet ein umfassendes Verständnis der Speichergerätearchitektur. Der zweite Teil des Buches befasst sich mit auftauchenden Gedächtniskandidaten, die das Potenzial haben, die traditionelle Gedächtnishierarchie zu stören. Dazu gehören Phasenwechselspeicher (PCM), resistiver Direktzugriffsspeicher (RRAM), magnetischer Direktzugriffsspeicher mit Spin-Drehmoment-Übertragung (STT-MRAM) und ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher (FeRAM). Der Autor diskutiert die Herausforderungen und Perspektiven dieser innovativen Technologien sowie deren Anwendungen in der In-Memory-Berechnung, der Hardwarebeschleunigung künstlicher Intelligenz und der neuromorphen Berechnungen. Da sich die Technologie in einem beispiellosen Tempo weiterentwickelt, ist es wichtig, ein persönliches Paradigma für die Wahrnehmung und das Verständnis des technologischen Prozesses der Entwicklung des modernen Wissens zu entwickeln. Dies beinhaltet die Anpassung unseres Ansatzes, neue Technologien zu erforschen und vereinfachte und zugängliche Textformate abzudecken, um die menschliche Wahrnehmung, Analyse und das Verständnis zu erleichtern. Das Buch „Semiconductor Devices and Memory Circuits“ bietet eine wertvolle Ressource für Menschen, die auf dem neuesten Stand der Fortschritte in diesem Bereich bleiben möchten, und trägt auch zu einem tieferen Verständnis der Bedeutung des technischen Fortschritts bei der Gestaltung unserer kollektiven Zukunft bei. Darüber hinaus betont der Text die Bedeutung der interdisziplinären Zusammenarbeit und des Wissensaustauschs zwischen Experten aus verschiedenen Bereichen, um die Herausforderungen neuer Speichertechnologien zu meistern. In einer Welt, in der Länder zunehmend durch geopolitische und ideologische Spaltungen getrennt sind, hängt das Überleben der Menschheit und die Einheit der Menschen in einem kriegführenden Staat von unserer Fähigkeit ab, uns zu vereinen und den technologischen Fortschritt zu nutzen, um alle zu verbessern. Indem wir diese Vision annehmen, können wir die Kraft der Innovation nutzen, um Lücken zu schließen und eine harmonischere Zukunft für zukünftige Generationen zu schaffen.

i neuromorficzne obliczenia. Książka „Półprzewodnikowe urządzenia pamięci i obwody” zagłębia się w zawiłości technologii pamięci półprzewodnikowej, od podstawowych struktur pamięci po projektowanie złożonych tablic pamięci. Podkreśla on ostatnie wydarzenia i nowe trendy w tej dziedzinie, podkreślając potencjał tych postępów w przekształceniu hierarchii pamięci i rewolucji w różnych branżach. Tekst przeznaczony jest dla absolwentów i naukowców z branży elektrotechniki i informatyki oraz specjalistów z sektora półprzewodników i mikroelektroniki. Pierwsza część książki obejmuje podstawowe technologie pamięci, zapewniając dogłębne badanie podstawowych struktur komórek bitowych, takich jak 6-tranzystorowe SRAM, 1-tranzystor 1-kondensator DRAM i pływające tranzystory flash ładowania bramy. Dyskusja polega na projektowaniu obwodów peryferyjnych, takich jak wzmacniacze odczytu i organizacja na poziomie tablicy, oferujących kompleksowe zrozumienie architektury urządzeń pamięci. Druga część książki patrzy na pojawiających się kandydatów na pamięć, którzy mogą potencjalnie złamać tradycyjną hierarchię pamięci. Należą do nich pamięć zmiany fazy (PCM), rezystywna pamięć dostępu losowego (RRAM), magnetyczna pamięć dostępu losowego transferu momentu obrotowego (STT-MRAM) oraz ferroelektryczna pamięć dostępu losowego (FeRAM). Autor omawia wyzwania i perspektywy tych innowacyjnych technologii, a także ich zastosowania w komputerach pamięciowych, przyspieszeniu sprzętowym sztucznej inteligencji i obliczeniach neuromorficznych. Ponieważ technologia nadal rozwija się w bezprecedensowym tempie, ważne jest opracowanie osobistego paradygmatu postrzegania i zrozumienia technologicznego procesu rozwoju nowoczesnej wiedzy. Obejmuje to dostosowanie naszego podejścia do poszukiwania nowych technologii oraz przyjęcie uproszczonych i dostępnych formatów tekstowych w celu ułatwienia ludzkiego postrzegania, analizy i zrozumienia. Książka „Urządzenia półprzewodnikowe i obwody pamięci” stanowi cenny zasób dla osób starających się nadążyć za najnowocześniejszymi osiągnięciami w tej dziedzinie, a także przyczynia się do głębszego zrozumienia konsekwencji postępu technologicznego w kształtowaniu naszej wspólnej przyszłości. Ponadto w tekście podkreślono znaczenie interdyscyplinarnej współpracy i wymiany wiedzy między ekspertami z różnych dziedzin w celu przezwyciężenia wyzwań związanych z nowymi technologiami pamięci. W świecie, w którym kraje są coraz bardziej podzielone różnicami geopolitycznymi i ideologicznymi, przetrwanie ludzkości i jedność ludzi w stanie wojennym zależy od naszej zdolności do zjednoczenia i wykorzystania postępu technologicznego do poprawy wszystkich. Przyjmując tę wizję, możemy wykorzystać siłę innowacji, aby zniwelować luki i stworzyć bardziej harmonijną przyszłość dla przyszłych pokoleń.

ומחשוב נוירומורפי. הספר ”התקני זיכרון ומעגלים” (Semiconductor Memory Devices and Circuits) מתעמק במורכבות של טכנולוגיית זיכרון מוליך למחצה, החל במבני זיכרון יסודיים וכלה בעיצוב של מערכות זיכרון מורכבות. הוא מדגיש את ההתפתחויות האחרונות והמגמות החדשות בתחום, ומדגיש את הפוטנציאל של ההתקדמות הזו לשנות את ההיררכיה של זיכרון ומהפכה על פני תעשיות. הטקסט מיועד לתלמידי תואר שני וחוקרים בהנדסת חשמל ומחשבים וכן למקצוענים במגזרי המוליכים למחצה והמיקרואלקטרוניקה. החלק הראשון של הספר עוסק בטכנולוגיות זיכרון בסיסיות, המספקות מחקר מעמיק של מבני תאי סיביות בסיסיים כגון 6-טרנזיסטור SRAM, 1-טרנזיסטור 1-קבל DRAM וטרנזיסטורים של מטען שער צף. הדיון כרוך בתכנון מעגלים היקפיים כגון מגברי קריאה וארגון ברמת מערך, המציעים הבנה מקיפה של ארכיטקטורת התקני זיכרון. החלק השני של הספר מביט במועמדי זיכרון מתפתחים שעלולים לשבור את היררכיית הזיכרון המסורתית. אלה כוללים זיכרון שינוי פאזה (PCM), זיכרון גישה אקראית רזטיבי (RRAM), זיכרון גישה אקראי (FERAM) וזיכרון גישה אקראי פרואלקטרי (FerRAM). המחבר דן באתגרים ובסיכויים של טכנולוגיות חדשניות אלה, כמו גם ביישומים שלהם במחשוב זיכרון, האצת חומרה של בינה מלאכותית וחישובים נוירומורפיים. ככל שהטכנולוגיה ממשיכה להתפתח בקצב חסר תקדים, חשוב לפתח פרדיגמה אישית לתפיסה ולהבנה של התהליך הטכנולוגי של פיתוח ידע מודרני. זה כולל התאמת הגישה שלנו לחקר טכנולוגיות חדשות ואימוץ פורמטים טקסטים פשוטים ונגישים הספר התקנים ומוליכים למחצה (Semiconductor Devices and Memory Circuitry) מספק משאב רב ערך לאנשים המבקשים לשמור על התקדמות חדשנית בתחום, כמו גם תורם להבנה עמוקה יותר של ההשלכות של התקדמות טכנולוגית בעיצוב העתיד הקולקטיבי שלנו. בנוסף, הטקסט מדגיש את החשיבות של שיתוף פעולה בין תחומי ושיתוף ידע בין מומחים מתחומים שונים כדי להתגבר על האתגרים שמציבות טכנולוגיות זיכרון חדשות. בעולם שבו מדינות נחלקות יותר ויותר על ידי הבדלים גיאו-פוליטיים ואידיאולוגיים, הישרדות האנושות ואחדות האנשים במדינה לוחמת תלויים ביכולת שלנו להתאחד ולהשתמש בהתקדמות טכנולוגית כדי לשפר את כולם. על ידי אימוץ חזון זה, אנו יכולים לרתום את כוח החדשנות לגשר על פערים וליצור עתיד הרמוני יותר לדורות הבאים.''

ve nöromorfik hesaplama. "Semiconductor Memory Devices and Circuits" kitabı, temel bellek yapılarından karmaşık bellek dizilerinin tasarımına kadar yarı iletken bellek teknolojisinin inceliklerini inceliyor. Alandaki son gelişmeleri ve yeni eğilimleri vurgulayarak, bu ilerlemelerin endüstriler arasında bellek ve devrim hiyerarşisini dönüştürme potansiyelini vurgulamaktadır. Metin, elektrik ve bilgisayar mühendisliğindeki lisansüstü öğrenciler ve araştırmacıların yanı sıra yarı iletken ve mikroelektronik sektörlerindeki profesyoneller için tasarlanmıştır. Kitabın ilk bölümü, 6-transistörlü SRAM, 1-transistör 1-kapasitör DRAM ve yüzer kapı yük tuzağı flaş transistörleri gibi temel bit hücre yapılarının derinlemesine incelenmesini sağlayan temel bellek teknolojilerini kapsamaktadır. Tartışma, okuma amplifikatörleri ve dizi düzeyinde organizasyon gibi çevresel devrelerin tasarlanmasını içerir ve bellek aygıtı mimarisinin kapsamlı bir anlayışını sunar. Kitabın ikinci kısmı, geleneksel bellek hiyerarşisini potansiyel olarak kırabilecek ortaya çıkan bellek adaylarına bakıyor. Bunlara faz değişim belleği (PCM), dirençli rasgele erişim belleği (RRAM), spin tork transferi manyetik rasgele erişim belleği (STT-MRAM) ve ferroelektrik rasgele erişim belleği (FeRAM) dahildir. Yazar, bu yenilikçi teknolojilerin zorluklarını ve beklentilerini, ayrıca bellek hesaplamalarındaki uygulamalarını, yapay zekanın donanım ivmesini ve nöromorfik hesaplamaları tartışıyor. Teknoloji benzeri görülmemiş bir hızda gelişmeye devam ettikçe, modern bilginin geliştirilmesinin teknolojik sürecinin algılanması ve anlaşılması için kişisel bir paradigma geliştirmek önemlidir. Bu, yeni teknolojileri keşfetme yaklaşımımızı uyarlamayı ve insan algısını, analizini ve anlayışını kolaylaştırmak için basitleştirilmiş ve erişilebilir metin formatlarını benimsemeyi içerir. "Semiconductor Devices and Memory Circuitry" kitabı, alandaki en son gelişmelerden haberdar olmak isteyen insanlar için değerli bir kaynak sağlamanın yanı sıra, kolektif geleceğimizi şekillendirmede teknolojik ilerlemenin etkilerinin daha derin bir şekilde anlaşılmasına katkıda bulunuyor. Ayrıca metin, yeni bellek teknolojilerinin getirdiği zorlukların üstesinden gelmek için farklı alanlardan uzmanlar arasında disiplinlerarası işbirliğinin ve bilgi paylaşımının önemini vurgulamaktadır. Ülkelerin jeopolitik ve ideolojik farklılıklarla giderek daha fazla bölündüğü bir dünyada, insanlığın hayatta kalması ve savaşan bir devlette insanların birliği, herkesi iyileştirmek için teknolojik gelişmeleri birleştirme ve kullanma yeteneğimize bağlıdır. Bu vizyonu benimseyerek, boşlukları kapatmak ve gelecek nesiller için daha uyumlu bir gelecek yaratmak için inovasyonun gücünden yararlanabiliriz.

والحوسبة العصبية. يتعمق كتاب «أجهزة ودارات الذاكرة شبه الموصلة» في تعقيدات تقنية ذاكرة أشباه الموصلات، من هياكل الذاكرة الأساسية إلى تصميم مصفوفات الذاكرة المعقدة. يسلط الضوء على التطورات الأخيرة والاتجاهات الجديدة في هذا المجال، ويسلط الضوء على إمكانات هذه التطورات لتحويل التسلسل الهرمي للذاكرة والثورة عبر الصناعات. النص مخصص لطلاب الدراسات العليا والباحثين في الهندسة الكهربائية وهندسة الكمبيوتر، بالإضافة إلى المتخصصين في قطاعي أشباه الموصلات والإلكترونيات الدقيقة. يغطي القسم الأول من الكتاب تقنيات الذاكرة الأساسية، ويوفر دراسة متعمقة لهياكل خلايا البت الأساسية مثل 6 ترانزستور SRAM، و 1 ترانزستور 1 مكثف DRAM، وترانزستورات فلاش مصيدة الشحنة العائمة. تتضمن المناقشة تصميم دوائر هامشية مثل مكبرات الصوت المقروءة وتنظيم مستوى المصفوفة، مما يوفر فهمًا شاملاً لبنية جهاز الذاكرة. يبحث الجزء الثاني من الكتاب في مرشحي الذاكرة الناشئين الذين يمكن أن يكسروا التسلسل الهرمي للذاكرة التقليدية. وتشمل هذه ذاكرة تغيير الطور (PCM) وذاكرة الوصول العشوائي المقاومة (RRAM) وذاكرة الوصول العشوائي المغناطيسي لنقل عزم الدوران (STT-MRAM) وذاكرة الوصول العشوائي الكهربائي (FeRAM). يناقش المؤلف تحديات وآفاق هذه التقنيات المبتكرة، بالإضافة إلى تطبيقاتها في حوسبة الذاكرة وتسريع الأجهزة للذكاء الاصطناعي والحسابات العصبية. مع استمرار تطور التكنولوجيا بوتيرة غير مسبوقة، من المهم تطوير نموذج شخصي لتصور وفهم العملية التكنولوجية لتطوير المعرفة الحديثة. وهذا يشمل تكييف نهجنا لاستكشاف التقنيات الجديدة وتبني تنسيقات نصية مبسطة ويمكن الوصول إليها لتسهيل الإدراك والتحليل والفهم البشري. يوفر كتاب «أجهزة أشباه الموصلات ودوائر الذاكرة» موردًا قيمًا للأشخاص الذين يسعون إلى مواكبة أحدث التطورات في هذا المجال، فضلاً عن المساهمة في فهم أعمق لآثار التقدم التكنولوجي في تشكيل مستقبلنا الجماعي. وبالإضافة إلى ذلك، يشدد النص على أهمية التعاون المتعدد التخصصات وتبادل المعارف بين الخبراء من مختلف الميادين للتغلب على التحديات التي تطرحها تكنولوجيات الذاكرة الجديدة. في عالم تنقسم فيه البلدان بشكل متزايد بسبب الاختلافات الجيوسياسية والأيديولوجية، يعتمد بقاء البشرية ووحدة الناس في دولة متحاربة على قدرتنا على الاتحاد واستخدام التقدم التكنولوجي لتحسين الجميع. من خلال تبني هذه الرؤية، يمكننا تسخير قوة الابتكار لسد الفجوات وخلق مستقبل أكثر انسجامًا للأجيال القادمة.

및 신경 형성 컴퓨팅. "반도체 메모리 장치 및 회로" 책은 기본 메모리 구조에서 복잡한 메모리 어레이 설계에 이르기까지 반도체 메모리 기술의 복잡성을 탐구합니다. 그는 최근 개발과 현장의 새로운 트렌드를 강조하면서 산업 전반에 걸쳐 메모리와 혁명의 계층 구조를 변화시키는 이러한 발전의 잠재력을 강조 이 텍스트는 전기 및 컴퓨터 공학 대학원생 및 연구원뿐만 아니라 반도체 및 마이크로 일렉트로닉스 분야의 전문가를위한 것입니다. 이 책의 첫 번째 섹션은 기본 메모리 기술을 다루며 6 트랜지스터 SRAM, 1 트랜지스터 1 커패시터 DRAM 및 플로팅 게이트 전하 트랩 플래시 트랜지스터와 같은 기본 비트 셀 구조에 대한 심층 연구를 제공합니다. 토론에는 읽기 증폭기 및 배열 수준 구성과 같은 주변 장치 회로를 설계하여 메모리 장치 아키텍처에 대한 포괄적 인 이해를 제공합니다. 이 책의 두 번째 부분은 기존의 메모리 계층을 깰 수있는 새로운 메모리 후보를 살펴 봅니다. 여기에는 위상 변화 메모리 (PCM), 저항 랜덤 액세스 메모리 (RRAM), 스핀 토크 전달 자기 랜덤 액세스 메모리 (STT-MRAM) 및 강유전성 랜덤 액세스 메모리 (FeRAM) 가 포함됩니다. 저자는 이러한 혁신적인 기술의 과제와 전망뿐만 아니라 메모리 컴퓨팅, 인공 지능의 하드웨어 가속 및 신경 계산에 대한 응용 프로그램에 대해 설명합니다. 기술이 전례없는 속도로 계속 발전함에 따라 현대 지식을 개발하는 기술 프로세스에 대한 인식과 이해를위한 개인 패러다임을 개발하는 것이 중요합니다. 여기에는 새로운 기술 탐색에 대한 접근 방식을 조정하고 인간의 인식, 분석 및 이해를 용이하게하기 위해 단순화되고 액세스 가능한 텍스 "Semiconductor Devices and Memory Circuitry" 책은 현장에서 최첨단 발전을 유지하려는 사람들에게 귀중한 자료를 제공 할뿐만 아니라 집단 미래를 형성하는 데있어 기술 발전의 영향에 대한 깊은 이해에 기여합니다. 또한이 텍스트는 새로운 메모리 기술로 인한 문제를 극복하기 위해 여러 분야의 전문가들 간의 학제 간 협업 및 지식 공유의 중요성을 강조합니다. 국가가 지정 학적 및 이념적 차이로 점점 더 분열되는 세계에서 인류의 생존과 전쟁 국가의 사람들의 통일성은 모든 사람을 향상시키기 위해 기술 발전을 통합하고 사용하는 능력에 달려 있습니다. 이 비전을 수용함으로써 우리는 혁신의 힘을 활용하여 격차를 해소하고 미래 세대를위한보다 조화로운 미래를 만들 수 있습니다.

とニューロモルフィックコンピューティング。「半導体メモリデバイスと回路」は、基本的なメモリ構造から複雑なメモリアレイの設計まで、半導体メモリテクノロジーの複雑さを掘り下げています。彼は、この分野における最近の進展と新しい動向を強調し、これらの進歩の可能性を強調し、産業全体にわたる記憶と革命の階層を変革する。このテキストは、電気およびコンピュータ工学の大学院生や研究者、ならびに半導体およびマイクロエレクトロニクス分野の専門家を対象としています。本書の第1部では、6トランジスタSRAM、 1トランジスタ1 コンデンサDRAM、フローティングゲート充電トラップフラッシュトランジスタなどの基本的なビットセル構造の詳細な研究を行っています。ディスカッションでは、リードアンプやアレイレベルの構成などの周辺回路の設計を行い、メモリデバイスのアーキテクチャについての包括的な理解を提供します。この本の第二部では、伝統的なメモリ階層を破る可能性のある新興メモリ候補について見ていきます。位相変化メモリ（PCM）、抵抗ランダムアクセスメモリ（RRAM）、スピントルク伝達磁気ランダムアクセスメモリ（STT-MRAM）、強誘電性ランダムアクセスメモリ（FeRAM）などがある。著者は、これらの革新的な技術の課題と見通し、メモリコンピューティング、人工知能のハードウェア加速、神経形態計算におけるそれらの応用について説明します。テクノロジーがかつてないペースで発展し続ける中で、現代の知識を開発する技術プロセスの認識と理解のための個人的なパラダイムを開発することが重要です。これには、新しい技術を探求するアプローチを適応させ、人間の知覚、分析、理解を容易にするために、簡略化されたアクセス可能なテキストフォーマットを採用することが含まれます。「Semiconductor Devices and Memory Circuitry（半導体デバイスとメモリ回路）」は、最先端の分野での進歩を追求する人々にとって貴重なリソースであり、私たちの集合的な未来を形作るための技術進歩の意味をより深く理解することに貢献しています。さらに、新しい記憶技術がもたらす課題を克服するために、異分野の専門家が学際的なコラボレーションと知識共有の重要性を強調しています。国々が地政学的・イデオロギー的な違いで分断されている世界では、人類の存続と戦争状態における人々の団結は、すべての人を改善するために技術の進歩を団結し、使用する能力に依存しています。このビジョンを受け入れることで、私たちはイノベーションの力を活用して、ギャップを埋め、将来の世代のためのより調和のとれた未来を創造することができます。