DESCRIPTION OF THE PLOT The book "МОПСБИС Моделирование элементов и технологических процессов" (Modeling of Elements and Technological Processes) is a comprehensive guide to the mathematical modeling of technological processes involved in the manufacturing of silicon integrated circuits (ICs) and the electrical characteristics of their main elements, specifically MOS transistors. This book is a collection of lectures given by renowned experts from various countries at a symposium on the subject matter. The book begins with an introduction to the fundamentals of MOS transistors, including their structure, working principles, and electrical characteristics. It then delves into the details of the technological processes involved in their manufacturing, such as diffusion, ion implantation, oxidation, annealing, lithography, deposition, and etching. The authors provide a thorough understanding of these processes and their impact on the performance of MOS transistors. As the book progresses, it explores the various models used to describe the behavior of MOS transistors, including the drift-diffusion model, the Poisson-Schrödinger equation, and the Boltzmann transport equation. These models are essential for predicting the electrical properties of MOS transistors and are critical in optimizing their design and performance.

ОПИСАНИЕ СЮЖЕТА книга «МОПСБИС Моделирование элементов и технологических процессов» (Моделирование Элементов и Технологические Процессы) является подробным руководством по математическому моделированию технологических процессов, вовлеченных в производство кремниевых интегральных схем (ICs) и электрических особенностей их главных элементов, конкретно транзисторы MOS. Эта книга представляет собой сборник лекций, прочитанных известными экспертами из разных стран на симпозиуме по данной тематике. Книга начинается с введения в основы МОП-транзисторов, включая их структуру, принципы работы и электрические характеристики. Затем он углубляется в детали технологических процессов, участвующих в их производстве, таких как диффузия, ионная имплантация, окисление, отжиг, литография, осаждение и травление. Авторы дают полное представление об этих процессах и их влиянии на производительность МОП-транзисторов. По мере развития книги в ней исследуются различные модели, используемые для описания поведения МОП-транзисторов, включая модель дрейфа-диффузии, уравнение Пуассона-Шрёдингера и уравнение переноса Больцмана. Эти модели необходимы для прогнозирования электрических свойств МОП-транзисторов и имеют решающее значение для оптимизации их конструкции и производительности.

DESCRIPTION DE L'INTRIGUE livre « MOPSBIS Elements and Process Modeling » est un guide détaillé sur la modélisation mathématique des processus impliqués dans la production de circuits intégrés en silicium (ICs) et les caractéristiques électriques de leurs principaux éléments, en particulier les transistors MOS. Ce livre est un recueil de conférences données par des experts de différents pays lors d'un colloque sur ce sujet. livre commence par l'introduction aux bases des transistors MOS, y compris leur structure, leurs principes de fonctionnement et leurs caractéristiques électriques. Il s'enfonce ensuite dans les détails des procédés intervenant dans leur fabrication tels que la diffusion, l'implantation ionique, l'oxydation, le recuit, la lithographie, le dépôt et la gravure. s auteurs donnent un aperçu complet de ces processus et de leur impact sur les performances des transistors MOS. Au fur et à mesure que le livre évolue, il explore divers modèles utilisés pour décrire le comportement des transistors MOS, y compris le modèle de dérive-diffusion, l'équation de Poisson-Schrödinger et l'équation de transfert de Boltzmann. Ces modèles sont nécessaires pour prédire les propriétés électriques des transistors MOS et sont essentiels pour optimiser leur conception et leurs performances.

DESCRIPCIÓN DE LA TRAMA libro «MOPSBIS Modelado de Elementos y Procesos» (Modelado de Elementos y Procesos Tecnológicos) es una guía detallada para la simulación matemática de los procesos tecnológicos involucrados en la producción de circuitos integrados de silicio (ICs) y las características eléctricas de sus elementos principales, específicamente los transistores MOS. Este libro es una colección de conferencias impartidas por destacados expertos de diferentes países en un simposio sobre el tema. libro comienza con la introducción en las bases de los transistores MOP, incluyendo su estructura, principios de funcionamiento y características eléctricas. Luego se profundiza en los detalles de los procesos tecnológicos involucrados en su producción, tales como difusión, implantación iónica, oxidación, recocido, litografía, precipitación y grabado. autores proporcionan una visión completa de estos procesos y su impacto en el rendimiento de los transistores MOP. A medida que el libro avanza, explora los diferentes modelos utilizados para describir el comportamiento de los transistores MOP, incluyendo el modelo de difusión a la deriva, la ecuación de Poisson-Schrödinger y la ecuación de transferencia de Boltzmann. Estos modelos son necesarios para predecir las propiedades eléctricas de los transistores MOP y son cruciales para optimizar su diseño y rendimiento.

O livro «MOPSBIS Modelagem de Elementos e Processos Tecnológicos» (mulação de Elementos e Processos Tecnológicos) é um guia detalhado sobre a modelagem matemática de processos que envolvem a produção de circuitos integrais de silício (ICs) e características elétricas de seus principais elementos, especificamente os transistores MOS. Este livro é uma coleção de palestras dadas por especialistas de renome de vários países em um simpósio sobre o tema. O livro começa com a introdução nas bases dos transistores MOP, incluindo sua estrutura, princípios de trabalho e características elétricas. Depois, ele é aprofundado em detalhes dos processos que envolvem a sua produção, tais como difusão, implante iônico, oxidação, descarga, litografia, deposição e erva. Os autores fornecem uma visão completa destes processos e seus efeitos sobre a produtividade dos transistores MOP. À medida que o livro evolui, ele explora vários modelos usados para descrever o comportamento dos transistores MOP, incluindo o modelo de deriva-difusão, a equação de Poisson-Schroedinger e a equação de transferência de Bolzmann. Estes modelos são necessários para prever as propriedades elétricas dos transistores MOP e são essenciais para otimizar o seu design e desempenho.

DESCRIZIONE DELLA TRAMA Il libro MOPSBIS Modellazione degli elementi e dei processi tecnologici (Modellazione degli Elementi e dei Processi Tecnologici) è una guida dettagliata alla simulazione matematica dei processi tecnologici coinvolti nella produzione dei circuiti integrali di silicio (ICS) e delle caratteristiche elettriche dei loro elementi principali, in particolare i transistor MOS. Questo libro è una raccolta di conferenze date da esperti di fama provenienti da diversi paesi in un simposio su questo tema. Il libro inizia con l'introduzione alle basi dei transistor MOP, incluse la loro struttura, i principi di funzionamento e le caratteristiche elettriche. Poi si approfondisce nei dettagli dei processi tecnologici coinvolti nella loro produzione, come diffusione, impianto ionico, ossidazione, estrazione, litografia, deposito e erba. Gli autori forniscono una visione completa di questi processi e del loro impatto sulle prestazioni dei transistor MOP. Man mano che il libro si sviluppa, vengono esaminati diversi modelli utilizzati per descrivere il comportamento dei transistor MOP, tra cui il modello della deriva-diffusione, l'equazione Poisson-Schrodinger e l'equazione del trasferimento di Bolzman. Questi modelli sono necessari per prevedere le proprietà elettriche dei transistor MOP e sono fondamentali per ottimizzarne la progettazione e le prestazioni.

BESCHREIBUNG DER HANDLUNG Das Buch „MOPSBIS Modellierung von Elementen und technologischen Prozessen“ (Modellierung von Elementen und technologischen Prozessen) ist eine detaillierte Anleitung zur mathematischen Modellierung der technologischen Prozesse, die an der Herstellung von integrierten liziumschaltungen (ICs) und den elektrischen Eigenschaften ihrer Hauptelemente, insbesondere MOS-Transistoren, beteiligt sind. Dieses Buch ist eine Sammlung von Vorträgen, die von renommierten Experten aus verschiedenen Ländern auf einem Symposium zu diesem Thema gehalten werden. Das Buch beginnt mit einer Einführung in die Grundlagen von MOSFETs, einschließlich ihrer Struktur, Funktionsprinzipien und elektrischen Eigenschaften. Es geht dann tiefer in die Details der technologischen Prozesse, die an ihrer Herstellung beteiligt sind, wie Diffusion, Ionenimplantation, Oxidation, Glühen, Lithographie, Abscheidung und Ätzen. Die Autoren geben einen umfassenden Einblick in diese Prozesse und ihre Auswirkungen auf die istung von MOSFETs. Im Laufe der Entwicklung des Buches werden verschiedene Modelle untersucht, die zur Beschreibung des Verhaltens von MOSFETs verwendet werden, darunter das Drift-Diffusionsmodell, die Poisson-Schrödinger-Gleichung und die Boltzmann-Transfergleichung. Diese Modelle sind unerlässlich für die Vorhersage der elektrischen Eigenschaften von MOSFETs und entscheidend für die Optimierung ihres Designs und ihrer istung.

OPIS PRZEDMIOTU książka „MOPSBIS Modelowanie elementów i procesów technologicznych” (Modelowanie elementów i procesów technologicznych) jest szczegółowym przewodnikiem do modelowania matematycznego procesów technologicznych związanych z produkcją układów scalonych krzemu (IC) i cech elektrycznych ich głównych elementów, w szczególności tranzystory MOS. Ta książka jest zbiorem wykładów prowadzonych przez znanych ekspertów z różnych krajów na sympozjum na ten temat. Książka rozpoczyna się od wprowadzenia do podstaw tranzystorów MOS, w tym ich struktury, zasad działania i cech elektrycznych. Następnie zagłębia się w szczegóły procesów technologicznych związanych z ich produkcją, takich jak dyfuzja, implantacja jonów, utlenianie, wyżarzanie, litografia, opady atmosferyczne i trawienie. Autorzy przedstawiają pełny obraz tych procesów i ich wpływ na wydajność MOSFET. W miarę rozwoju książki bada różne modele używane do opisu zachowania MOSFET, w tym model dyfuzji dryftowej, równanie Poissona-Schrödingera i równanie transferu Boltzmanna. Modele te są niezbędne do przewidywania właściwości elektrycznych MOSFET i mają kluczowe znaczenie dla optymalizacji ich konstrukcji i wydajności.

תיאור הנושא הספר MOPSBIS Modeling of Elements and Technological Processions (מודלים של יסודות ותהליכים טכנולוגיים) הוא מדריך מפורט למודלים מתמטיים של תהליכים טכנולוגיים המעורבים בייצור מעגלים משולבים סיליקונים (ICs) ותכונות חשמליות של היסודות העיקריים שלהם, במיוחד טרנזיסטורים S. ספר זה הוא אוסף של הרצאות שניתנו על ידי מומחים ידועים ממדינות שונות בסימפוזיון בנושא זה. הספר מתחיל בהקדמה ליסודות טרנזיסטורים של MOS, כולל המבנה שלהם, עקרונות הפעולה ומאפיינים חשמליים. לאחר מכן הוא מתעמק בפרטים של התהליכים הטכנולוגיים הכרוכים בייצור שלהם, כגון דיפוזיה, השתלת יונים, חמצון, אנליזציה, ליתוגרפיה, משקעים וחריטה. המחברים מספקים תמונה מלאה של תהליכים אלה והשפעתם על ביצועי MOSFETs. ככל שהספר מתקדם, הוא חוקר מודלים שונים המשמשים לתיאור התנהגותם של MOSFETs, כולל מודל דיפוזיית הסחף, משוואת פואסון-שרדינגר ומשוואת העברת בולצמן. מודלים אלה חיוניים לחיזוי התכונות החשמליות של MOSFETs והם קריטיים לייעול העיצוב והביצועים שלהם.''

KONU AÇIKLAMASI "MOPSBIS Elementlerin ve Teknolojik Süreçlerin Modellenmesi" (Elementlerin ve Teknolojik Süreçlerin Modellenmesi) kitabı, silikon entegre devrelerin (IC'ler) ve ana elemanlarının, özellikle de MOS transistörlerinin elektriksel özelliklerinin üretiminde yer alan teknolojik süreçlerin matematiksel modellenmesine yönelik ayrıntılı bir kılavuzdur. Bu kitap, bu konuyla ilgili bir sempozyumda farklı ülkelerden tanınmış uzmanlar tarafından verilen derslerin bir koleksiyonudur. Kitap, yapısı, çalışma prensipleri ve elektriksel özellikleri de dahil olmak üzere MOS transistörlerinin temellerine bir giriş ile başlar. Daha sonra, difüzyon, iyon implantasyonu, oksidasyon, tavlama, litografi, çökeltme ve aşındırma gibi üretimlerinde yer alan teknolojik işlemlerin ayrıntılarına girer. Yazarlar, bu süreçlerin ve MOSFET'lerin performansı üzerindeki etkilerinin tam bir resmini sunmaktadır. Kitap ilerledikçe, sürüklenme-difüzyon modeli, Poisson-Schrödinger denklemi ve Boltzmann transfer denklemi dahil olmak üzere MOSFET'lerin davranışını tanımlamak için kullanılan çeşitli modelleri araştırıyor. Bu modeller MOSFET'lerin elektriksel özelliklerini tahmin etmek için gereklidir ve tasarımlarını ve performanslarını optimize etmek için kritik öneme sahiptir.

وصف الموضوع كتاب «نمذجة MOPSBIS للعناصر والعمليات التكنولوجية» (نمذجة العناصر والعمليات التكنولوجية) هو دليل مفصل للنمذجة الرياضية للعمليات التكنولوجية المشاركة في إنتاج الدوائر المتكاملة للسيليكون (ICs) والخصائص الكهربائية لميزاتها الرئيسية، وبالتحديد ترانزستورات MOS. هذا الكتاب عبارة عن مجموعة من المحاضرات التي ألقاها خبراء معروفون من مختلف البلدان في ندوة حول هذا الموضوع. يبدأ الكتاب بمقدمة لأساسيات ترانزستورات MOS، بما في ذلك بنيتها ومبادئ التشغيل والخصائص الكهربائية. ثم يتعمق في تفاصيل العمليات التكنولوجية التي ينطوي عليها إنتاجها، مثل الانتشار وزرع الأيونات والأكسدة والتلقيح والطباعة الحجرية وهطول الأمطار والحفر. يقدم المؤلفون صورة كاملة لهذه العمليات وتأثيرها على أداء MOSFETs. مع تقدم الكتاب، يستكشف العديد من النماذج المستخدمة لوصف سلوك MOSFETs، بما في ذلك نموذج انتشار الانجراف، ومعادلة Poisson-Schrödinger، ومعادلة نقل Boltzmann. هذه النماذج ضرورية للتنبؤ بالخصائص الكهربائية لـ MOSFETs وهي ضرورية لتحسين تصميمها وأدائها.

SUBJECT의 설계 "요소 및 기술 프로세스의 MOPSBIS 모델링" (요소 및 기술 프로세스 모델링) 책은 실리콘 집적 회로 (ICs) 및 주요 요소의 전기적 특징, 특히 MOS 트랜지스터. 이 책은이 주제에 관한 심포지엄에서 다른 국가의 유명한 전문가들이 제공하는 강의 모음입니다. 이 책은 구조, 작동 원리 및 전기적 특성을 포함하여 MOS 트랜지스터의 기본 사항에 대한 소개로 시작합니다. 그런 다음 확산, 이온 이식, 산화, 어닐링, 리소그래피, 침전 및 에칭과 같은 생산과 관련된 기술 프로세스의 세부 사항을 탐구합니다. 저자는 이러한 프로세스에 대한 완전한 그림과 MOSFET의 성능에 미치는 영향을 제공합니다. 이 책이 진행됨에 따라 드리프트 확산 모델, 포아송 슈뢰딩거 방정식 및 볼츠만 전송 방정식을 포함하여 MOSFET의 동작을 설명하는 데 사용되는 다양한 모델을 탐색합니다. 이 모델은 MOSFET의 전기적 특성을 예측하는 데 필수적이며 설계 및 성능을 최적화하는 데 중요합니다.

主題の説明本「MOPSBIS要素と技術プロセスのモデリング」（要素と技術プロセスのモデリング）は、シリコン集積回路（IC）の生産に関与する技術プロセスの数学的モデリングの詳細なガイドですOSトランジスタ。本書は、各国の著名な専門家がシンポジウムで講演したものです。本書では、MOSトランジスタの構造、動作原理、電気特性などの基礎を紹介します。その後、拡散、イオン注入、酸化、アニーリング、リソグラフィ、沈殿、エッチングなど、生産に関わる技術プロセスの詳細を掘り下げます。著者たちは、これらのプロセスとMOSFETの性能への影響を完全に把握している。本書は、ドリフト拡散モデル、ポアソン=シュレーディンガー方程式、ボルツマン移動方程式など、MOSFETの挙動を記述するために用いられる様々なモデルを探求している。これらのモデルは、MOSFETの電気特性を予測するために不可欠であり、設計と性能を最適化するために不可欠です。

情節描述書「MOPSBIS元素和過程建模」（元素建模和過程建模）是有關矽集成電路（IC）制造過程及其主要元素（特別是MOS晶體管）的電氣特征的數學建模的詳細指南。該書匯編了來自不同國家的知名專家在專題討論會上所作的講座。本書首先介紹了MOSFET的基礎，包括其結構，工作原理和電氣特性。然後，他深入研究了生產過程中涉及的過程細節，例如擴散，離子植入，氧化，退火，光刻，沈積和蝕刻。作者充分了解了這些過程及其對晶體管性能的影響。隨著本書的進展，它研究了用於描述MOSFET行為的各種模型，包括漂移-擴散模型，泊松-薛定ding方程和玻爾茲曼傳輸方程。這些模型對於預測MOSFET的電特性至關重要，並且對於優化其設計和性能至關重要。