Book Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and Simulation (IEEE Press Series on Microelectronic Systems) Introduction: In today's world, technology is advancing at an unprecedented rate, and the development of modern knowledge is crucial for the survival of humanity and the unity of people in a warring state. The evolution of technology has led to the creation of smart devices such as cell phones, watches, home appliances, and numerous other gadgets that have become an integral part of our daily lives. The performance of these devices has surpassed that of room-filling supercomputers of the past, thanks to the scaling of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). However, the continuous scaling of MOSFETs to meet consumer needs without compromising performance has become increasingly expensive and complex due to the presence of metallurgical junctions. To overcome this limitation, junctionless field-effect transistors (JLFETs) have been developed, offering a simpler and less costly alternative. The book "Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and Simulation" provides a comprehensive overview of JLFETs, their design, modeling, and simulation techniques, and their applications in modern electronics. This one-volume reference covers the latest advancements in transistor technology and its impact on the development of smart devices.

Book Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and mulation (IEEE Press Series on Microelectronic Systems) Введение: В современном мире технологии развиваются с беспрецедентной скоростью, и развитие современных знаний имеет решающее значение для выживания человечества и единства людей в воюющем государстве. Эволюция технологий привела к созданию умных устройств, таких как сотовые телефоны, часы, бытовая техника и множество других гаджетов, которые стали неотъемлемой частью нашей повседневной жизни. Производительность этих устройств превзошла производительность заполняющих комнату суперкомпьютеров прошлого, благодаря масштабированию полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник (MOSFET). Однако непрерывное масштабирование МОП-транзисторов для удовлетворения потребностей потребителей без ущерба для производительности становится все более дорогостоящим и сложным из-за наличия металлургических переходов. Чтобы преодолеть это ограничение, были разработаны бесконтактные полевые транзисторы (JLFET), предлагающие более простую и менее затратную альтернативу. В книге «Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and mulation» представлен всесторонний обзор JLFET, их методов проектирования, моделирования и симуляции, а также их применения в современной электронике. Этот однотомный справочник охватывает последние достижения в области транзисторных технологий и их влияние на разработку интеллектуальных устройств.

Book Junctionless Field-Effect Transiteurs : Design, Modeling, and mulation (IEEE Press Series on Microelectronic Systems) Introduction : Dans le monde d'aujourd'hui, les technologies évoluent à une vitesse sans précédent et le développement des connaissances modernes est crucial pour la survie de l'humanité et l'unité des gens dans un État en guerre. L'évolution de la technologie a conduit à la création d'appareils intelligents tels que les téléphones cellulaires, les montres, les appareils ménagers et de nombreux autres gadgets qui sont devenus une partie intégrante de notre vie quotidienne. s performances de ces dispositifs ont dépassé celles des supercalculateurs de salle de remplissage du passé, grâce à la mise à l'échelle des transistors à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET). Cependant, la mise à l'échelle continue des transistors MOS pour répondre aux besoins des consommateurs sans compromettre les performances devient de plus en plus coûteuse et complexe en raison de la présence de transitions métallurgiques. Pour surmonter cette limitation, des transistors à effet de champ sans contact (JLFET) ont été développés, offrant une alternative plus simple et moins coûteuse. livre « Junctionless Field-Effect Transiteurs : Design, Modeling, and mulation » présente un aperçu complet de JLFET, de leurs méthodes de conception, de modélisation et de simulation, ainsi que de leurs applications dans l'électronique moderne. Cette référence en un seul volume couvre les progrès récents dans les technologies de transistors et leur impact sur le développement de dispositifs intelligents.

Book Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and mulation (IEEE Press Series on Microelectronic Systems) Introducción: En el mundo actual, la tecnología evoluciona a una velocidad sin precedentes, y el desarrollo del conocimiento moderno es crucial para la supervivencia de la humanidad y la unidad de los seres humanos en un Estado en guerra. La evolución de la tecnología ha llevado a la creación de dispositivos inteligentes como teléfonos celulares, relojes, electrodomésticos y muchos otros aparatos que se han convertido en parte integral de nuestra vida cotidiana. rendimiento de estos dispositivos ha superado al de los superordenadores del pasado que llenan la sala, gracias a la escala de los transistores de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET). n embargo, la ampliación continua de los transistores MOP para satisfacer las necesidades de los consumidores sin comprometer la productividad es cada vez más costosa y compleja debido a la presencia de transiciones metalúrgicas. Para superar esta limitación, se han desarrollado transistores de campo sin contacto (JLFET) que ofrecen una alternativa más simple y menos costosa. libro «Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and mulation» ofrece una visión completa de los JLFET, sus métodos de diseño, modelado y simulación, así como sus aplicaciones en electrónica moderna. Este manual de un solo volumen cubre los últimos avances en tecnología de transistores y su impacto en el desarrollo de dispositivos inteligentes.

Book Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, e mulação (IEEE Press Series on Microelectronic Systems) Introdução: No mundo atual, a tecnologia evolui a uma velocidade sem precedentes, e o desenvolvimento do conhecimento moderno é essencial para a sobrevivência da humanidade e da unidade humana Estado em guerra. A evolução da tecnologia levou à criação de dispositivos inteligentes como celulares, relógios, aparelhos domésticos e muitos outros gadgets que se tornaram parte integrante do nosso dia a dia. O desempenho desses dispositivos superou o desempenho dos supercomputadores da sala de preenchimento do passado, graças à escala dos transistores de campo metal-oxido-semicondutor (MOSFET). No entanto, o escalonamento contínuo de transistores MIP para atender às necessidades dos consumidores, sem comprometer a produtividade, torna-se cada vez mais dispendioso e complexo devido à disponibilidade de transições metalúrgicas. Para superar esta limitação, foram desenvolvidos transistores de campo sem contato (JLFET) que oferecem uma alternativa mais simples e mais barata. O livro «Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and mulation» apresenta uma revisão completa do JLFET, suas técnicas de design, modelagem e simulação e suas aplicações na eletrônica moderna. Este guia de um único volume abrange os avanços recentes na tecnologia transistor e seus efeitos no desenvolvimento de dispositivos inteligentes.

Book Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and mulation (IEEE Press Series on Microelectronic Systems) Introduzione: Nel mondo moderno la tecnologia si sviluppa ad una velocità senza precedenti, e lo sviluppo delle conoscenze moderne è fondamentale per la sopravvivenza dell'umanità e l'unità delle persone nel mondo Uno Stato in guerra. L'evoluzione della tecnologia ha portato alla creazione di dispositivi intelligenti come cellulari, orologi, elettrodomestici e molti altri gadget che sono diventati parte integrante della nostra vita quotidiana. prestazioni di questi dispositivi hanno superato quelle dei supercomputer del passato grazie alla scalabilità dei transistor di metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET). Tuttavia, la scalabilità continua dei transistor MOP per soddisfare le esigenze dei consumatori senza compromettere la produttività diventa sempre più costosa e complessa a causa delle transizioni metallurgiche. Per superare questo limite, sono stati sviluppati transistor di campo senza contatto (JLFET) che offrono un'alternativa più semplice e meno costosa. Il libro Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and mulation fornisce una panoramica completa di JLFET, dei loro metodi di progettazione, modellazione e simulazione e delle loro applicazioni nell'elettronica moderna. Questa guida a un volume include i progressi più recenti nella tecnologia transistor e il loro impatto sullo sviluppo di dispositivi intelligenti.

Buch Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and mulation (IEEE Press Series on Microelectronic Systems) Einleitung: In der heutigen Welt entwickelt sich die Technologie mit beispielloser Geschwindigkeit und die Entwicklung des modernen Wissens ist entscheidend für das Überleben der Menschheit und die Einheit der Menschen in einem kriegsführenden Staat. Die Entwicklung der Technologie hat zu intelligenten Geräten wie Mobiltelefonen, Uhren, Haushaltsgeräten und vielen anderen Geräten geführt, die zu einem integralen Bestandteil unseres täglichen bens geworden sind. Die Produktivität dieser Geräte hat die Produktivität der das Zimmer ausfüllenden Supercomputer der Vergangenheit, dank der Untersetzung der Feldtransistoren das Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET) übertroffen. Die kontinuierliche Skalierung von MOSFETs, um die Bedürfnisse der Verbraucher zu erfüllen, ohne die istung zu beeinträchtigen, wird jedoch aufgrund der Anwesenheit von metallurgischen Übergängen immer teurer und komplexer. Um diese Einschränkung zu überwinden, wurden berührungslose Feldeffekttransistoren (JLFETs) entwickelt, die eine einfachere und kostengünstigere Alternative bieten. Das Buch Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and mulation bietet einen umfassenden Überblick über JLFETs, ihre Design-, mulations- und mulationsmethoden sowie ihre Anwendungen in der modernen Elektronik. Dieses einbändige Handbuch behandelt die neuesten Fortschritte in der Transistortechnologie und deren Auswirkungen auf die Entwicklung intelligenter Geräte.

Book Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and mulation (IEEE Press Series on Microelectronic Systems) Wprowadzenie: W dzisiejszym świecie technologia rozwija się w bezprecedensowym tempie, a rozwój nowoczesnej wiedzy ma kluczowe znaczenie dla przetrwania ludzkości i jedność ludzi w stanie wojennym. Ewolucja technologii doprowadziła do stworzenia inteligentnych urządzeń, takich jak telefony komórkowe, zegarki, sprzęt AGD i wiele innych gadżetów, które stały się integralną częścią naszego codziennego życia. Wydajność tych urządzeń przewyższała wydajność superkomputerów napełniających pomieszczenia z przeszłości, dzięki skalowaniu tranzystorów pola-efektu metalowo-tlenkowo-półprzewodnikowego (MOSFET). Ciągłe skalowanie MOSFET w celu zaspokojenia potrzeb konsumentów bez poświęcania wydajności stało się jednak coraz bardziej kosztowne i złożone ze względu na obecność połączeń metalurgicznych. Aby przezwyciężyć to ograniczenie, opracowano bezstykowe tranzystory efektu pola (JLFET), które oferują prostszą i mniej kosztowną alternatywę. Książka „Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and mulation” zawiera kompleksowy przegląd JLFET, ich technik projektowania, symulacji i symulacji oraz ich zastosowań w nowoczesnej elektronice. Ten jednotomowy przewodnik obejmuje najnowsze postępy w technologii tranzystorowej i ich wpływ na rozwój inteligentnych urządzeń.

Book Junctionless Field-Effect Transistors: Designing, Modeling, and mulation (IEEE Press Series on Microelectronic Systems) מבוא: בעולם של ימינו, הטכנולוגיה מתקדמת בקצב חסר תקדים, והתפתחות של ידע מודרני. התפתחות הטכנולוגיה הובילה ליצירת מכשירים חכמים כמו טלפונים סלולריים, שעונים, מכשירי חשמל ביתיים ועוד שלל מכשירים שהפכו לחלק בלתי נפרד מחיי היומיום שלנו. ביצועיהם של התקנים אלה עלו על זה של מחשבי-על ממלאים-חדרים מהעבר, הודות לטרנזיסטורי שדה של תחמוצת-מתכת (MOSFET). עם זאת, הגדלה מתמשכת של MOSFETs על מנת לענות על צרכי הצרכן ללא הקרבה ביצועית הפכה יותר ויותר יקרה ומורכבת עקב נוכחותם של צמתים מתכתיים. כדי להתגבר על מגבלה זו, פותחו טרנזיסטורי אפקט שדה (JLFETs), המציעים חלופה פשוטה ופחות יקרה. הספר Junctionless Field-Effect Transistors: Designing, Modeling, and mulation מספק סקירה מקיפה של JLFETs, עיצוב, סימולציה וטכניקות הדמיה, ויישומיהם בתחום האלקטרוניקה המודרנית. המדריך בעל כרך אחד מכסה את ההתקדמות האחרונה בטכנולוגיית הטרנזיסטורים ואת ההשפעה שלהם על פיתוח מכשיר חכם.''

Kitap Bağlantısız Alan Etkili Transistörler: Tasarım, Modelleme ve mülasyon (Mikroelektronik stemlerde IEEE Basın Serisi) Giriş: Günümüz dünyasında, teknoloji benzeri görülmemiş bir oranda ilerlemektedir ve modern bilginin gelişimi, insanlığın hayatta kalması ve savaşan bir durumda insanların birliği için kritik öneme sahiptir. Teknolojinin evrimi, cep telefonları, saatler, ev aletleri ve günlük hayatımızın ayrılmaz bir parçası haline gelen diğer birçok cihaz gibi akıllı cihazların yaratılmasına yol açmıştır. Bu cihazların performansı, metal oksit yarı iletken (MOSFET) alan etkili transistörlerin ölçeklendirilmesi sayesinde, geçmişin oda dolduran süper bilgisayarlarının performansını aştı. Bununla birlikte, MOSFET'leri performanstan ödün vermeden tüketici ihtiyaçlarını karşılamak için sürekli olarak ölçeklendirmek, metalürjik kavşakların varlığı nedeniyle giderek daha maliyetli ve karmaşık hale gelmiştir. Bu sınırlamanın üstesinden gelmek için, daha basit ve daha az maliyetli bir alternatif sunan temassız alan etkili transistörler (JLFET'ler) geliştirilmiştir. "Kavşaksız Alan Etkili Transistörler: Tasarım, Modelleme ve mülasyon" kitabı, JLFET'lere, tasarım, simülasyon ve simülasyon tekniklerine ve modern elektronikteki uygulamalarına kapsamlı bir genel bakış sunar. Bu tek ciltlik kılavuz, transistör teknolojisindeki en son gelişmeleri ve bunların akıllı cihaz gelişimi üzerindeki etkilerini kapsar.

Book Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and mulation (IEEE Press Series on Microelectronic Systems) مقدمة: في عالم اليوم، تتقدم التكنولوجيا بمعدل غير مسبوق، وتطوير المعرفة الحديثة أمر بالغ الأهمية لبقاء البشرية ووحدة الناس دولة متحاربة. أدى تطور التكنولوجيا إلى إنشاء أجهزة ذكية مثل الهواتف المحمولة والساعات والأجهزة المنزلية ومجموعة من الأدوات الأخرى التي أصبحت جزءًا لا يتجزأ من حياتنا اليومية. تجاوز أداء هذه الأجهزة أداء أجهزة الكمبيوتر العملاقة التي كانت تملأ الغرف في الماضي، وذلك بفضل تحجيم ترانزستورات التأثير الميداني لأكسيد المعادن وأشباه الموصلات (MOSFET). ومع ذلك، فإن التوسع المستمر في MOSFETs لتلبية احتياجات المستهلكين دون التضحية بالأداء أصبح مكلفًا ومعقدًا بشكل متزايد بسبب وجود التقاطعات المعدنية. للتغلب على هذا القيد، تم تطوير ترانزستورات التأثير الميداني غير التلامسية (JLFETs)، مما يوفر بديلاً أبسط وأقل تكلفة. يقدم كتاب «الترانزستورات ذات التأثير الحقلي بلا وصلة: التصميم والنمذجة والمحاكاة» نظرة عامة شاملة على JLFETs وتصميمها ومحاكاتها وتقنيات المحاكاة وتطبيقاتها في الإلكترونيات الحديثة. يغطي هذا الدليل المكون من مجلد واحد أحدث التطورات في تقنية الترانزستور وتأثيرها على تطوير الأجهزة الذكية.

책 정션없는 현장 효과 트랜지스터: 디자인, 모델링 및 시뮬레이션 (마이크로 전자 시스템의 IEEE 프레스 시리즈) 소개: 오늘날의 세계에서 기술은 전례없는 속도로 발전하고 있으며 현대 지식의 발전은 인류의 생존에 중요합니다. 기술의 발전으로 인해 휴대폰, 시계, 가전 제품 및 일상 생활에서 없어서는 안될 다른 기기와 같은 스마트 기기가 만들어졌습니다. 이러한 장치의 성능은 금속 산화물 반도체 (MOSFET) 전계 효과 트랜지스터의 스케일링 덕분에 과거의 룸 충전 슈퍼 컴퓨터의 성능을 능가했습니다. 그러나 야금 교차점의 존재로 인해 성능을 희생하지 않고 소비자의 요구를 충족시키기 위해 MOSFET을 지속적으로 확장하는 것이 점점 비용이 많이 들고 복잡해졌습니다. 이러한 제한을 극복하기 위해 비접촉식 전계 효과 트랜지스터 (JLFET) 가 개발되어 더 간단하고 저렴한 대안을 제공합니다. "Juncless Field-Effect Transistors: Design, Modeling 및 mulation" 책은 JLFET, 설계, 시뮬레이션 및 시뮬레이션 기술 및 최신 전자 장치의 응용 분야에 대한 포괄적 인 개요를 제공합니다. 이 1 권 가이드는 트랜지스터 기술의 최신 발전과 스마트 장치 개발에 미치는 영향을 다룹니다.

Book Junctionless Field-Effect Transistors： Design、 Modeling、 and mulation （IEEE Press Series on Microelectronic Systems）はじめに：今日の世界では、テクノロジーは前例のない速度で進歩しており、現代の知識の開発は人類の生存と人々の団結にとって重要である戦争状態にあります。テクノロジーの進化は、携帯電話、時計、家電などのスマートデバイスや、私たちの日常生活の不可欠な部分となっている他のガジェットの多くの作成につながりました。これらのデバイスの性能は、金属酸化物半導体（MOSFET）電界効果トランジスタのスケーリングのおかげで、過去の部屋充填スーパーコンピュータの性能を上回りました。しかし、MOSFETを継続的にスケーリングして、パフォーマンスを犠牲にすることなく、消費者のニーズを満たすことができます。この制限を克服するために、非接触フィールド効果トランジスタ（JLFET）が開発され、よりシンプルで低コストの代替手段を提供しています。「Junctionless Field-Effect Transistors： Design、 Modeling、 and mulation」では、JLFETの概要、設計、シミュレーション、シミュレーション技術、および最新のエレクトロニクスへの応用について説明しています。この1ボリュームガイドは、トランジスタ技術の最新の進歩とスマートデバイス開発への影響について説明します。

Book Junctionless Field-Effect Transistors：設計、建模和模擬（IEEE Press Series on Microelectronic Systems）簡介：在當今世界,技術以前所未有的速度發展,現代知識的發展對人類生存和交戰國家人民的團結至關重要。技術的發展導致了智能設備的創建，例如手機，手表，家用電器以及許多其他小工具，這些設備已成為我們日常生活不可或缺的一部分。通過縮放金屬氧化物半導體（MOSFET）場效應晶體管，這些設備的性能超過了過去的房間填充超級計算機。但是，由於冶金過渡的存在，連續擴展MOSFET以在不影響性能的情況下滿足消費者的需求變得越來越昂貴和困難。為了克服這一限制，開發了非接觸式場效應晶體管（JLFET），提供了更簡單，更便宜的替代方案。「Junctionless Field-Effect Transistors：設計，建模和仿真」一書全面概述了JLFET，其設計，仿真和仿真方法及其在現代電子中的應用。這本單卷手冊涵蓋了晶體管技術的最新進展及其對智能設備開發的影響。