as well as a discussion of their applications in computer memory and other electronic devices. The book 'Highk Gate Dielectric Materials Applications with Advanced Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors' highlights the significance of understanding the evolution of technology and its impact on human survival and unity in a war-torn world. The text explores the challenges faced by the semiconductor industry, particularly the limitations of SiO2-based MOS transistors, and the potential solutions offered by highk gate dielectric materials. The author provides a comprehensive overview of the historical development of highk materials, including the relevance of Moore's law and the reliability issues associated with SiO2-based MOS transistors. The book delves into the various deposition techniques for highk films and discusses their applications in computer memory and other electronic devices. It also covers the theoretical aspects of highk dielectrics, such as quantum tunneling effects and interface engineering, and their practical implications for MOSFET structures like tunneling FET. The author emphasizes the need to adapt the study of new technologies to human perception, analysis, and understanding, using simplified language and accessible terminology to facilitate comprehension. The text begins with a historical note on Moore's law, which has played a crucial role in the evolution of the semiconductor industry. However, as transistors continue to shrink in size, new challenges have arisen, such as the reliability issues associated with SiO2-based MOS transistors. To address these challenges, the author proposes the use of highk gate dielectric materials as a promising strategy for further miniaturization. The book examines the transition of gate dielectrics from traditional SiO2 to highk materials with an EOT of 1 nm or less.

, а также обсуждение их применения в компьютерной памяти и других электронных устройствах. В книге «Применение диэлектрических материалов Highk Gate с усовершенствованными полевыми транзисторами на основе оксида металла и полупроводника» подчеркивается важность понимания эволюции технологии и ее влияния на выживание и единство человека в разрушенном войной мире. В тексте рассматриваются проблемы, с которыми сталкивается полупроводниковая промышленность, в частности, ограничения O2-based МОП-транзисторов, а также потенциальные решения, предлагаемые диэлектрическими материалами с высоким затвором. Автор дает исчерпывающий обзор исторического развития материалов высокого уровня, включая актуальность закона Мура и вопросы надежности, связанные с O2-based МОП-транзисторами. Книга углубляется в различные методы осаждения для высоких пленок и обсуждает их применение в компьютерной памяти и других электронных устройствах. Он также охватывает теоретические аспекты высоких диэлектриков, такие как эффекты квантового туннелирования и разработка интерфейсов, и их практические последствия для структур MOSFET, таких как туннелирование FET. Автор подчеркивает необходимость адаптации изучения новых технологий к человеческому восприятию, анализу и пониманию, используя упрощенный язык и доступная терминология для облегчения понимания. Текст начинается с исторической заметки о законе Мура, сыгравшем важнейшую роль в эволюции полупроводниковой индустрии. Однако, поскольку транзисторы продолжают уменьшаться в размерах, возникли новые проблемы, такие как проблемы надежности, связанные с O2-based МОП-транзисторами. Для решения этих проблем автор предлагает использовать диэлектрические материалы с высоким затвором в качестве многообещающей стратегии для дальнейшей миниатюризации. В книге рассматривается переход диэлектриков затвора от традиционных O2 к высоковязким материалам с EOT 1 нм и менее.

et discuter de leur application dans la mémoire informatique et d'autres appareils électroniques. livre « L'utilisation de matériaux diélectriques Highk Gate avec des transistors de champ améliorés à base d'oxyde métallique et de semi-conducteur » souligne l'importance de comprendre l'évolution de la technologie et son impact sur la survie et l'unité de l'homme dans un monde détruit par la guerre. texte aborde les problèmes rencontrés par l'industrie des semi-conducteurs, notamment les contraintes de O2-based des transistors MOS, ainsi que les solutions potentielles proposées par les matériaux diélectriques à grille haute. L'auteur donne un aperçu complet de l'évolution historique des documents de haut niveau, y compris la pertinence de la loi Moore et les questions de fiabilité liées à la O2-based des transistors MOS. livre explore les différentes méthodes de dépôt pour les films hauts et discute de leur application dans la mémoire informatique et d'autres dispositifs électroniques. Il couvre également les aspects théoriques des diélectriques élevés, tels que les effets du tunnel quantique et le développement des interfaces, et leurs implications pratiques pour les structures MOSFET, telles que le tunnel FET. L'auteur souligne la nécessité d'adapter l'apprentissage des nouvelles technologies à la perception, à l'analyse et à la compréhension humaines, en utilisant un langage simplifié et une terminologie accessible pour faciliter la compréhension. texte commence par une note historique sur la loi de Moore, qui a joué un rôle essentiel dans l'évolution de l'industrie des semi-conducteurs. Cependant, comme les transistors continuent de diminuer en taille, de nouveaux problèmes sont apparus, tels que des problèmes de fiabilité liés au O2-based des transistors MOS. Pour résoudre ces problèmes, l'auteur propose d'utiliser des matériaux diélectriques à haute grille comme stratégie prometteuse pour une miniaturisation plus poussée. livre examine la transition des diélectriques de grille du O2 traditionnel vers des matériaux à viscosité élevée avec un EOT de 1 nm ou moins.

, así como la discusión de sus aplicaciones en memoria informática y otros dispositivos electrónicos. libro «Aplicaciones de materiales dieléctricos de la Puerta Alta con transistores de campo avanzados basados en óxido metálico y semiconductor» destaca la importancia de comprender la evolución de la tecnología y su impacto en la supervivencia y unidad humana en un mundo destruido por la guerra. texto aborda los retos a los que se enfrenta la industria de semiconductores, en particular las limitaciones de O2-based de transistores MOP, así como las posibles soluciones que ofrecen los materiales dieléctricos de alta compuerta. autor ofrece una visión general exhaustiva de la evolución histórica de los materiales de alto nivel, incluida la pertinencia de la y Moore y las cuestiones de fiabilidad relacionadas con los transistores MOP O2-based. libro profundiza en las diferentes técnicas de deposición para películas altas y discute su aplicación en la memoria informática y otros dispositivos electrónicos. También cubre aspectos teóricos de los altos dieléctricos, como los efectos de la tunelización cuántica y el desarrollo de interfaces, y sus implicaciones prácticas para las estructuras MOSFET, como la tunelización FET. autor subraya la necesidad de adaptar el estudio de las nuevas tecnologías a la percepción, análisis y comprensión humana, utilizando un lenguaje simplificado y una terminología accesible para facilitar la comprensión. texto comienza con una nota histórica sobre la ley de Moore, que jugó un papel crucial en la evolución de la industria de semiconductores. n embargo, a medida que los transistores siguen disminuyendo de tamaño, han surgido nuevos problemas, como problemas de confiabilidad relacionados con transistores MOP O2-based. Para resolver estos problemas, el autor propone el uso de materiales dieléctricos de alta persiana como una estrategia prometedora para una mayor miniaturización. libro examina la transición de los dieléctricos del obturador de O2 tradicional a materiales de alta viscosidad con EOT de 1 nm o menos.

, além de discutir a sua aplicação em memória de computador e outros dispositivos eletrônicos. O livro «Aplicação de materiais dielétricos Highk Gate com transistores de campo avançados baseados em óxido de metal e semicondutores» enfatiza a importância de compreender a evolução da tecnologia e seus efeitos sobre a sobrevivência e a unidade humana em um mundo devastado pela guerra. O texto aborda os problemas que a indústria de semicondutores enfrenta, especialmente as limitações ao O2-based de transistores MOP e as soluções potenciais oferecidas por materiais dielétricos altamente fechados. O autor apresenta uma revisão abrangente do desenvolvimento histórico de materiais de alto nível, incluindo a relevância da i Moore e questões de confiabilidade relacionadas com O2-based transistores MOP. O livro é aprofundado em diferentes métodos de depósito para filmes altos e discute sua aplicação na memória de computador e outros dispositivos eletrônicos. Ele também abrange aspectos teóricos das altas dielétricas, como os efeitos do túnel quântico e o desenvolvimento de interfaces, e suas implicações práticas para as estruturas do MOSFET, como o túnel FET. O autor ressalta a necessidade de adaptar o estudo de novas tecnologias à percepção, análise e compreensão humanas, usando linguagem simplificada e terminologia disponível para facilitar a compreensão. O texto começa com uma nota histórica sobre a i Moore, que desempenhou um papel crucial na evolução da indústria de semicondutores. No entanto, como os transistores continuam a diminuir de tamanho, houve novos problemas, como problemas de confiabilidade relacionados com os transistores MOP. Para resolver esses problemas, o autor propõe que os materiais dielétricos de alta restrição sejam usados como uma estratégia promissora para uma maior miniaturização. O livro aborda a transição de dielétricos de fechadores de O2 tradicionais para materiais altamente comprimidos com EOT 1 nm ou menos.

, oltre a discutere delle loro applicazioni nella memoria del computer e in altri dispositivi elettronici. Il libro «L'applicazione di materiali dielettrici Highk Gate con transistor sul campo avanzati a base di ossido metallico e semiconduttore» sottolinea l'importanza di comprendere l'evoluzione della tecnologia e i suoi effetti sulla sopravvivenza e l'unità umana in un mondo distrutto dalla guerra. Il testo affronta i problemi che l'industria dei semiconduttori deve affrontare, in particolare le limitazioni ai transistor MOP e le potenziali soluzioni offerte dai materiali dielettrici ad alta pressione. L'autore fornisce una panoramica completa dello sviluppo storico dei materiali di alto livello, inclusa la rilevanza della legge di Moore e le questioni di affidabilità legate ai transistor MOP. Il libro approfondisce le varie tecniche di deposito per le pellicole alte e discute la loro applicazione nella memoria del computer e altri dispositivi elettronici. Comprende anche gli aspetti teorici degli alti dielettrici, come gli effetti del tunnel quantistico e lo sviluppo di interfacce, e le loro implicazioni pratiche sulle strutture MOSFET, come il tunnel FET. L'autore sottolinea la necessità di adattare le nuove tecnologie alla percezione umana, all'analisi e alla comprensione, utilizzando un linguaggio semplificato e una terminologia accessibile per facilitare la comprensione. Il testo inizia con una nota storica sulla legge di Moore, che ha svolto un ruolo fondamentale nell'evoluzione dell'industria dei semiconduttori. Tuttavia, poiché i transistor continuano a diminuire di dimensioni, si sono verificati nuovi problemi, come ad esempio i problemi di affidabilità associati ai transistor MOP. Per risolvere questi problemi, l'autore suggerisce di utilizzare materiali dielettrici ad alta pressione come strategia promettente per una ulteriore miniaturizzazione. Il libro descrive la transizione dei dielettrici della serratura dalle O2 tradizionali ai materiali ad alta pressione con EOT 1 nm o meno.

sowie eine Erörterung ihrer Anwendung auf Computerspeicher und andere elektronische Geräte. Im Buch "wird die Anwendung der Dielektrisch- Materialien Highk Gate mit den vervollkommneten Feldtransistoren aufgrund des Oxids des Metalls und des Halbleiters" die Wichtigkeit des Verständnisses der Evolution der Technologie und ihres Einflusses auf das Überleben und die Einheit des Menschen in der vom Krieg zerstörten Welt betont. Der Text befasst sich mit den Herausforderungen, denen sich die Halbleiterindustrie gegenübersieht, insbesondere den Einschränkungen der O2-based von MOSFETs sowie den möglichen Lösungen, die dielektrische Materialien mit hohem Gate bieten. Der Autor gibt einen umfassenden Überblick über die historische Entwicklung von Materialien auf hohem Niveau, einschließlich der Relevanz des Moore'schen Gesetzes und der Zuverlässigkeitsfragen im Zusammenhang mit O2-based MOSFETs. Das Buch geht auf verschiedene Abscheidungstechniken für hohe Filme ein und diskutiert deren Anwendung im Computerspeicher und anderen elektronischen Geräten. Es umfasst auch theoretische Aspekte hoher Dielektrika wie Quantentunneleffekte und die Entwicklung von Schnittstellen und deren praktische Implikationen für MOSFET-Strukturen wie FET-Tunneling. Der Autor betont die Notwendigkeit, das Studium neuer Technologien an die menschliche Wahrnehmung, Analyse und das Verständnis anzupassen, indem eine vereinfachte Sprache und zugängliche Terminologie verwendet werden, um das Verständnis zu erleichtern. Der Text beginnt mit einer historischen Notiz über Moores Gesetz, das eine entscheidende Rolle in der Entwicklung der Halbleiterindustrie spielte. Da die Transistoren jedoch immer kleiner werden, sind neue Probleme aufgetreten, z. B. Zuverlässigkeitsprobleme bei O2-based MOSFETs. Um diese Probleme zu lösen, schlägt der Autor vor, dielektrische Materialien mit hohem Gate als vielversprechende Strategie zur weiteren Miniaturisierung zu verwenden. Das Buch untersucht den Übergang von Gate-Dielektrika von herkömmlichem O2 zu hochviskosen Materialien mit einem EOT von 1 nm und weniger.

, a także omówienie ich wykorzystania w pamięci komputerowej i innych urządzeń elektronicznych. Książka „Zastosowanie materiałów dielektrycznych Highk Gate z zaawansowanym półprzewodnikiem tlenku metalu FET” podkreśla znaczenie zrozumienia ewolucji technologii i jej wpływu na przetrwanie i jedność człowieka w rozdartym wojną świecie. Tekst ten dotyczy wyzwań stojących przed przemysłem półprzewodników, w szczególności ograniczeń O2-based MOSFET oraz potencjalnych rozwiązań oferowanych przez materiały dielektryczne o wysokiej przepustowości. Autor przedstawia kompleksowy przegląd historycznego rozwoju materiałów wysokiego szczebla, w tym znaczenia Prawa Moore'a oraz kwestii niezawodności związanych z O2-based MOSFET. Książka odkłada się na różne techniki osadzania wysokich filmów i omawia ich zastosowanie w pamięci komputerowej i innych urządzeniach elektronicznych. Obejmuje również teoretyczne aspekty wysokich dielektryk, takie jak efekty tunelowania kwantowego i rozwój interfejsu, oraz ich praktyczne konsekwencje dla struktur MOSFET, takich jak tunelowanie FET. Autor podkreśla potrzebę dostosowania badań nad nowymi technologiami do ludzkiego postrzegania, analizy i zrozumienia, przy użyciu uproszczonego języka i dostępnej terminologii w celu ułatwienia zrozumienia. Tekst rozpoczyna się od notatki historycznej o prawie Moore'a, która odegrała kluczową rolę w ewolucji przemysłu półprzewodnikowego. Jednak w miarę dalszego kurczenia się tranzystorów pojawiły się nowe problemy, takie jak problemy z niezawodnością związane z O2-based MOSFET. Aby rozwiązać te problemy, autor proponuje wykorzystanie materiałów dielektrycznych o wysokiej bramie jako obiecującej strategii dalszej miniaturyzacji. Książka bada przejście dielektryków bram z tradycyjnych materiałów O2 do materiałów wysoce lepkich z EOT 1 nm lub mniej.

, כמו גם דיון על השימוש שלהם בזיכרון מחשב ומכשירים אלקטרוניים אחרים. הספר ”Application of Highk Gate Dielectric Materials with Advanced Metal Oxide Semiconductor Fets” מדגיש את החשיבות של הבנת התפתחות הטכנולוגיה והשפעתה על הישרדות ואחדות האדם בעולם שסוע מלחמה. הטקסט מתייחס לאתגרים העומדים בפני תעשיית המוליכים למחצה, ובמיוחד למגבלות של O2-based MOSFET, ולפתרונות הפוטנציאליים המוצעים על ידי חומרים דיאלקטריים גבוהים. המחבר מעניק סקירה מקיפה של ההתפתחות ההיסטורית של חומרים ברמה גבוהה, כולל הרלוונטיות של חוק מור וסוגיות האמינות הקשורות O2-based MOSFETs. הספר מתעמק בטכניקות תצהיר שונות לסרטים גבוהים ודן ביישום שלהם בזיכרון מחשב ובמכשירים אלקטרוניים אחרים. הוא גם מכסה היבטים תאורטיים של דיאלקטריקס גבוה, כמו אפקטים קוונטיים של מנהרות ופיתוח ממשקים, והשלכותיהם המעשיות על מבני MOSFET, כגון מנהרת FET. המחבר מדגיש את הצורך להתאים את המחקר של טכנולוגיות חדשות לתפיסה, ניתוח והבנה של האדם, באמצעות שפה פשוטה ומינוח נגיש כדי להקל על ההבנה. הטקסט מתחיל בנימה היסטורית על חוק מור, אשר מילאה תפקיד קריטי בהתפתחות תעשיית המוליכים למחצה. עם זאת, כאשר הטרנזיסטורים ממשיכים להתכווץ, מתעוררות בעיות חדשות, כגון בעיות אמינות הקשורות O2-based MOSFETs. כדי לפתור את הבעיות הללו, המחבר מציע להשתמש בחומרים דיאלקטריים בעלי שער גבוה כאסטרטגיה מבטיחה למזעור נוסף. הספר בוחן את המעבר של דיאלקטריקס שער מ-O2 מסורתי לחומרים צמיגים מאוד עם EOT של 1 nm או פחות.''

, yanı sıra bilgisayar belleği ve diğer elektronik cihazlarda kullanımları bir tartışma. "Highk Gate Dielektrik Malzemelerinin Gelişmiş Metal Oksit Yarı İletken FET'lerle Uygulanması" kitabı, teknolojinin evrimini ve savaşın yıktığı bir dünyada insanın hayatta kalması ve birliği üzerindeki etkisini anlamanın önemini vurgulamaktadır. Metin, yarı iletken endüstrisinin karşılaştığı zorlukları, özellikle MOSFET O2-based sınırlamalarını ve yüksek kapılı dielektrik malzemelerin sunduğu potansiyel çözümleri ele almaktadır. Yazar, Moore Yasası'nın uygunluğu ve O2-based MOSFET'lerle ilişkili güvenilirlik sorunları da dahil olmak üzere üst düzey malzemelerin tarihsel gelişimi hakkında kapsamlı bir genel bakış sunar. Kitap, uzun filmler için çeşitli biriktirme tekniklerini inceliyor ve bilgisayar belleği ve diğer elektronik cihazlardaki uygulamalarını tartışıyor. Aynı zamanda kuantum tünelleme etkileri ve arayüz geliştirme gibi yüksek dielektriklerin teorik yönlerini ve FET tünelleme gibi MOSFET yapıları için pratik etkilerini de kapsar. Yazar, yeni teknolojilerin çalışmasını, anlamayı kolaylaştırmak için basitleştirilmiş dil ve erişilebilir terminoloji kullanarak insan algısına, analizine ve anlayışına uyarlama ihtiyacını vurgulamaktadır. Metin, yarı iletken endüstrisinin evriminde kritik bir rol oynayan Moore Yasası üzerine tarihsel bir notla başlar. Bununla birlikte, transistörler küçülmeye devam ettikçe, O2-based MOSFET'lerle ilişkili güvenilirlik sorunları gibi yeni sorunlar ortaya çıkmıştır. Bu sorunları çözmek için yazar, yüksek kapılı dielektrik malzemeleri daha fazla minyatürleştirme için umut verici bir strateji olarak kullanmayı önermektedir. Kitap, kapı dielektriklerinin geleneksel O2'den 1 nm veya daha az EOT ile yüksek viskoz malzemelere geçişini incelemektedir.

، وكذلك مناقشة لاستخدامها في ذاكرة الحاسوب والأجهزة الإلكترونية الأخرى. يؤكد كتاب "تطبيق المواد العازلة لبوابة عالية مع أكسيد المعادن المتقدمة أشباه الموصلات FETs'على أهمية فهم تطور التكنولوجيا وتأثيرها على بقاء الإنسان ووحدته في عالم مزقته الحرب. يتناول النص التحديات التي تواجه صناعة أشباه الموصلات، لا سيما قيود O2-based MOSFET، والحلول المحتملة التي تقدمها المواد العازلة عالية البوابة. يقدم المؤلف لمحة عامة شاملة عن التطور التاريخي للمواد رفيعة المستوى، بما في ذلك أهمية قانون مور ومسائل الموثوقية المرتبطة O2-based MOSFETs. يتعمق الكتاب في تقنيات الترسيب المختلفة للأفلام الطويلة ويناقش تطبيقها في ذاكرة الكمبيوتر والأجهزة الإلكترونية الأخرى. كما يغطي الجوانب النظرية للعزل الكهربائي العالي، مثل تأثيرات النفق الكمي وتطوير الواجهة، وآثارها العملية على هياكل MOSFET، مثل نفق FET. ويشدد المؤلف على ضرورة تكييف دراسة التكنولوجيات الجديدة مع الإدراك والتحليل والفهم البشري، باستخدام لغة مبسطة ومصطلحات يسهل الوصول إليها لتيسير الفهم. يبدأ النص بملاحظة تاريخية عن قانون مور، الذي لعب دورًا مهمًا في تطور صناعة أشباه الموصلات. ومع ذلك، مع استمرار تقلص الترانزستورات، ظهرت مشاكل جديدة، مثل مشاكل الموثوقية المرتبطة O2-based MOSFETs. لحل هذه المشاكل، يقترح المؤلف استخدام مواد عزل كهربائية عالية البوابة كاستراتيجية واعدة لمزيد من التصغير. يبحث الكتاب في انتقال العزل الكهربائي للبوابة من O2 التقليدي إلى مواد شديدة اللزوجة ذات EOT 1 نانومتر أو أقل.

및 컴퓨터 메모리 및 기타 전자 장치에서의 사용에 대한 논의. "고급 금속 산화물 반도체 FET를 갖춘 하이크 게이트 유전체 재료의 적용" 책은 기술의 진화를 이해하는 것의 중요성과 전쟁이 심한 세계에서 인간의 생존과 통일성에 미치는 영향을 강조합니다. 이 텍스트는 반도체 산업이 직면 한 문제, 특히 MOSFET O2 기반의 한계 및 고 게이트 유전체 재료가 제공하는 잠재적 솔루션을 해결합니다. 저자는 무어의 법칙의 관련성과 O2 기반 MOSFET와 관련된 신뢰성 문제를 포함하여 고급 재료의 역사적 개발에 대한 포괄적 인 개요를 제공합니다. 이 책은 키 큰 영화를위한 다양한 증착 기술을 탐구하고 컴퓨터 메모리 및 기타 전자 장치에서의 응용 프로그램에 대해 설명합니다 또한 양자 터널링 효과 및 인터페이스 개발과 같은 높은 유전체의 이론적 측면과 FET 터널링과 같은 MOSFET 구조에 대한 실질적인 영향을 다룹니다. 저자는 이해를 용이하게하기 위해 간단한 언어와 접근 가능한 용어를 사용하여 새로운 기술에 대한 연구를 인간의 인식, 분석 및 이해에 적용 할 필요성을 강조합니다. 텍스트는 반도체 산업의 발전에 중요한 역할을 한 무어의 법칙에 대한 역사적 메모로 시작됩니다. 그러나 트랜지스터가 계속 줄어들면서 O2 기반 MOSFET와 관련된 신뢰성 문제와 같은 새로운 문제가 발생했습니다. 이러한 문제를 해결하기 위해 저자는 추가 소형화를위한 유망한 전략으로 고 게이트 유전체 재료를 사용할 것을 제안합니다. 이 책은 EOT가 1nm 이하인 전통적인 O2에서 고점성 물질로의 게이트 유전체의 전이를 조사합니다.

、コンピュータメモリやその他の電子デバイスでの使用についての議論だけでなく、。「先端金属酸化物半導体FETによるハイクゲート誘電体材料の応用」は、戦争によって引き裂かれた世界における技術の進化とその人間の生存と団結への影響を理解することの重要性を強調しています。このテキストでは、半導体産業が直面している課題、特にMOSFET O2-basedの限界、および高ゲート誘電材料が提供する潜在的なソリューションについて説明します。著者は、ムーアの法則の関連性やO2-based MOSFETに関連する信頼性の問題を含む、ハイレベル材料の歴史的発展の包括的な概要を説明します。この本は、背の高いフィルムのための様々な堆積技術を掘り下げ、コンピュータメモリやその他の電子機器におけるそれらの応用について論じている。また、量子トンネル効果や界面開発などの高誘電体の理論的側面や、FETトンネルなどのMOSFET構造に対する実用的な意味合いもカバーしています。著者は、理解を促進するために、簡略化された言語とアクセス可能な用語を使用して、人間の知覚、分析、理解に新しい技術の研究を適応させる必要性を強調しています。テキストは、半導体産業の進化に重要な役割を果たしたムーアの法則に関する歴史的なノートから始まります。しかし、トランジスタの縮小が進むにつれて、O2-based MOSFETに関連する信頼性の問題など、新たな問題が生じています。こうした問題を解決するために、さらに小型化のための有望な戦略として、高門誘電材料を用いることを提案している。この本では、伝統的なO2からEOT 1nm以下の高粘度材料へのゲート誘電体の遷移を調べています。

Come Midnight Maximum Security 35在這個激動人心的故事中，兩個陌生人Breanna Winters和Derek Styles在正常飛往哥倫比亞的航班中發現自己被一群激進的環境警惕分子劫持。作為一位著名技術大亨的女兒，布雷擔心自己的秘密身份被發現，當她得知父親已被要求贖金時，她的擔憂得到了證實。為了確保她的安全，前海軍戰鬥機飛行員德裏克（Derek）假裝是未婚夫，陪伴她前往極端分子領導的危險的叢林之旅。在洪都拉斯偏遠的叢林中，他們必須依靠彼此生存並共同努力，直到午夜才逃脫綁架者。情節隨著故事的發展，很明顯，技術在人類的生存中發揮著至關重要的作用。這本書強調了研究和理解技術演變過程的必要性，因為它繼續塑造我們生活的世界。作者強調建立現代知識過程作為人類生存基礎的人格範式的重要性。在這場忙碌的冒險中，布裏和德裏克發現自己與時間爭奪逃脫綁架者的機會。