The book "Electrical Characterization of Ferroelectric Field Effect Transistors Based on Ferroelectric HfO2 Thin Films" is an in-depth study of the development and potential of ferroelectric field effect transistors (FeFETs) based on silicon doped hafnium oxide (Si HfO2) thin films. This innovative material has the potential to revolutionize the field of non-volatile memories, offering improved scalability and compatibility with the complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) process. The author's thorough analysis of the properties of Si HfO2 thin films and their behavior under various process parameters provides valuable insights into the occurrence of ferroelectricity in this system. The book begins by exploring the need to understand the technological evolution process and its impact on modern knowledge. The author emphasizes the importance of developing a personal paradigm for perceiving technology, one that values human survival and unity in a world filled with conflict and division. This perspective is essential for grasping the significance of FeFETs and their potential to transform the future of non-volatile memory technology. The first chapter delves into the history of FeFETs and their current limitations, highlighting the urgent need for new materials and techniques to overcome these challenges. The author then introduces Si HfO2 as a promising alternative to conventional perovskite ferroelectrics, discussing its unique properties and advantages in detail.

Книга «Электрическая характеристика ферроэлектрических полевых транзисторов на основе тонких пленок ферроэлектрического HfO2» представляет собой углубленное исследование развития и потенциала ферроэлектрических полевых транзисторов (FeFET) на основе тонких пленок легированного кремнием оксида гафния ( HfO2). Этот инновационный материал может революционизировать область энергонезависимой памяти, предлагая улучшенную масштабируемость и совместимость с процессом комплементарного металл-оксидного полупроводника (CMOS). Тщательный анализ автором свойств тонких пленок HfO2 и их поведения при различных параметрах процесса дает ценную информацию о возникновении сегнетоэлектричества в этой системе. Книга начинается с исследования необходимости понимания процесса технологической эволюции и его влияния на современные знания. Автор подчеркивает важность разработки личной парадигмы восприятия технологий, которая ценит выживание и единство человека в мире, наполненном конфликтами и разделениями. Эта перспектива имеет важное значение для понимания значимости FeFET и их потенциала для преобразования будущего технологии энергонезависимой памяти. Первая глава углубляется в историю FeFET и их текущие ограничения, подчеркивая насущную потребность в новых материалах и методах для преодоления этих проблем. Затем автор представляет HfO2 как перспективную альтернативу обычным перовскитным сегнетоэлектрикам, подробно обсуждая его уникальные свойства и преимущества.

livre « La caractérisation électrique des transistors à effet de champ ferroélectriques à base de couches minces de HfO2 ferroélectrique » est une étude approfondie du développement et du potentiel des transistors à effet de champ ferroélectriques (FeFET) à base de couches minces d'oxyde d'hafnium dopé au silicium ( HfO2). Ce matériau innovant peut révolutionner le domaine de la mémoire non volatile en offrant une évolutivité et une compatibilité améliorées avec le procédé de semi-conducteur métal-oxyde complémentaire (CMOS). L'analyse minutieuse par l'auteur des propriétés des couches minces de HfO2 et de leur comportement dans les différents paramètres du processus fournit des informations précieuses sur l'apparition de la segmentation dans ce système. livre commence par une étude sur la nécessité de comprendre le processus d'évolution technologique et son impact sur les connaissances modernes. L'auteur souligne l'importance de développer un paradigme personnel de perception de la technologie qui valorise la survie et l'unité de l'homme dans un monde rempli de conflits et de divisions. Cette perspective est essentielle pour comprendre l'importance des FeFET et leur potentiel pour transformer la future technologie de mémoire non volatile. premier chapitre explore l'histoire de la FeFET et ses limites actuelles, soulignant le besoin urgent de nouveaux matériaux et méthodes pour surmonter ces défis. L'auteur présente ensuite HfO2 comme une alternative prometteuse aux ségnétoélectriques perovskites classiques, en discutant en détail de ses propriétés et avantages uniques.

libro «Caracterización eléctrica de transistores de campo ferroeléctricos basados en películas delgadas de HfO2 ferroeléctrico» es un estudio en profundidad del desarrollo y potencial de transistores de campo ferroeléctricos (FeFET) basados en películas delgadas de óxido de hafnio dopado de silicio ( HfO2). Este innovador material puede revolucionar el campo de la memoria no volátil, ofreciendo una mejor escalabilidad y compatibilidad con el proceso de semiconductor de metal-óxido complementario (CMOS). Un análisis cuidadoso por parte del autor de las propiedades de las películas delgadas de HfO2 y su comportamiento en los diferentes parámetros del proceso proporciona información valiosa sobre la ocurrencia de la segnetoelectricidad en este sistema. libro comienza investigando la necesidad de entender el proceso de evolución tecnológica y su impacto en el conocimiento actual. autor destaca la importancia de desarrollar un paradigma personal de percepción de la tecnología que valore la supervivencia y unidad del ser humano en un mundo lleno de conflictos y divisiones. Esta perspectiva es esencial para comprender la importancia de FeFET y su potencial para transformar la futura tecnología de memoria no volátil. primer capítulo profundiza en la historia de FeFET y sus limitaciones actuales, destacando la urgente necesidad de nuevos materiales y métodos para superar estos desafíos. autor presenta entonces HfO2 como una alternativa prometedora a los segnetoeléctricos de perovskita convencional, discutiendo en detalle sus propiedades y beneficios únicos.

O livro «Características elétricas de transistores de campo ferroelétricos baseados em filmes finos de HfO2 ferroelétrico» é um estudo aprofundado sobre o desenvolvimento e potencial de transistores de campo ferroelétricos (FeFET) baseado em filmes finos de óxido de hafnio legados por silício ( HfO2). Este material inovador pode revolucionar a área de memória não dependente de energia, oferecendo melhor escalabilidade e compatibilidade com o processo de semicondutor de metal complementar (CMOS). A análise minuciosa das propriedades dos filmes de ponta HfO2 e do seu comportamento em diferentes parâmetros de processo fornece informações valiosas sobre a ocorrência de segnetelização neste sistema. O livro começa por investigar a necessidade de compreender o processo de evolução tecnológica e seus efeitos no conhecimento moderno. O autor ressalta a importância de desenvolver um paradigma pessoal de percepção da tecnologia que valorize a sobrevivência e a unidade humana em um mundo repleto de conflitos e divisões. Esta perspectiva é essencial para compreender a importância do FeFET e seu potencial para transformar a futura tecnologia de memória não dependente de energia. O primeiro capítulo é aprofundado na história e suas limitações atuais, enfatizando a necessidade urgente de novos materiais e métodos para superar esses problemas. Em seguida, o autor apresenta como uma alternativa promissora para os segnetelétricos perovskitas convencionais, discutindo detalhadamente suas propriedades e vantagens únicas.

La caratteristica elettrica dei transistor di campo ferroelettrici basati su pellicole sottili di ferroelettrico è un'indagine approfondita sullo sviluppo e il potenziale dei transistor di campo ferroelettrici ( ) basati su sottili pellicole di ossido di hafnio legalizzato dal silicio (). Questo innovativo materiale può rivoluzionare l'area della memoria non dipendente, offrendo una maggiore scalabilità e compatibilità con il processo CMOS. L'analisi approfondita delle proprietà e del comportamento delle pellicole sottili fornisce informazioni preziose sull'insorgenza della segnetrificazione in questo sistema. Il libro inizia con una ricerca sulla necessità di comprendere l'evoluzione tecnologica e il suo impatto sulla conoscenza moderna. L'autore sottolinea l'importanza di sviluppare un paradigma personale della percezione della tecnologia che valorizza la sopravvivenza e l'unità dell'uomo in un mondo pieno di conflitti e divisioni. Questa prospettiva è essenziale per comprendere la rilevanza e il potenziale delle aziende per trasformare la futura tecnologia di memoria non dipendente dall'energia. Il primo capitolo si approfondisce nella storia e nelle restrizioni attuali, sottolineando l'urgente necessità di nuovi materiali e metodi per superare questi problemi. L'autore presenta poi come un'alternativa promettente ai normali segnetroelettrici a perovskit, discutendone in dettaglio le proprietà e i vantaggi unici.

Das Buch „Elektrische Charakterisierung ferroelektrischer Feldeffekttransistoren auf der Basis dünner Schichten ferroelektrischer HfO2“ ist eine eingehende Untersuchung der Entwicklung und des Potenzials ferroelektrischer Feldeffekttransistoren (FeFETs) auf der Basis dünner Schichten aus siliziumdotiertem Hafniumoxid ( HfO2). Dieses innovative Material hat das Potenzial, den Bereich des nichtflüchtigen Speichers zu revolutionieren, indem es eine verbesserte Skalierbarkeit und Kompatibilität mit dem CMOS-Prozess (Complementary Metal Oxide Semiconductor) bietet. Die sorgfältige Analyse der Eigenschaften von HfO2 Dünnfilmen und deren Verhalten bei verschiedenen Prozessparametern durch den Autor liefert wertvolle Informationen über das Auftreten von Ferroelektrizität in diesem System. Das Buch beginnt mit der Untersuchung der Notwendigkeit, den Prozess der technologischen Evolution und ihre Auswirkungen auf das moderne Wissen zu verstehen. Der Autor betont, wie wichtig es ist, ein persönliches Paradigma für die Wahrnehmung von Technologie zu entwickeln, das das Überleben und die Einheit des Menschen in einer Welt voller Konflikte und Spaltungen schätzt. Diese Perspektive ist wichtig, um die Bedeutung von FeFETs und ihr Potenzial für die Transformation der zukünftigen nichtflüchtigen Speichertechnologie zu verstehen. Das erste Kapitel befasst sich mit der Geschichte von FeFET und ihren aktuellen Grenzen und unterstreicht den dringenden Bedarf an neuen Materialien und Methoden zur Bewältigung dieser Herausforderungen. Der Autor stellt dann HfO2 als vielversprechende Alternative zu herkömmlichen Perowskit-Ferroelektrika vor und diskutiert ausführlich seine einzigartigen Eigenschaften und Vorteile.

Książka Electrical Characterization of Ferroelectric Field-Effect Transistors Based on Ferroelectric HfO2 Thin Films to dogłębne badanie rozwoju i potencjału ferroelektrycznych tranzystorów polowych (FeFET) na bazie krzemu domieszkowanego cienkie folie z tlenku hafnu ( HfO2). Ten innowacyjny materiał może zrewolucjonizować pole pamięci niekolatylowej, oferując lepszą skalowalność i kompatybilność z procesem uzupełniającym półprzewodnik tlenek metalu (CMOS). Dokładna analiza przez autora właściwości cienkich folii HfO2 oraz ich zachowania w ramach różnych parametrów procesu dostarcza cennych informacji o występowaniu ferroelektryczności w tym systemie. Książka rozpoczyna się badaniem potrzeby zrozumienia procesu ewolucji technologicznej i jej wpływu na nowoczesną wiedzę. Autor podkreśla znaczenie rozwoju osobistego paradygmatu postrzegania technologii, który ceni ludzkie przetrwanie i jedność w świecie wypełnionym konfliktem i podziałem. Perspektywa ta ma zasadnicze znaczenie dla zrozumienia znaczenia FeFET i ich potencjału w zakresie przekształcania przyszłej technologii pamięci nieulotnej. Pierwszy rozdział zagłębia się w historię FeFET i ich obecne ograniczenia, podkreślając pilną potrzebę nowych materiałów i metod pozwalających na przezwyciężenie tych wyzwań. Następnie autor przedstawia HfO2 jako obiecującą alternatywę dla konwencjonalnych ferroelektryk perowskitowych, szczegółowo omawiając jego unikalne właściwości i zalety.

הספר Electric Appliciation of Ferroelectric Field-Effect Transistors מבוסס על FEFET HfO2 Ferroelectric Dely Films הוא מחקר מעמיק של התפתחות ופוטנציאל של טרנזיסטורים בתחום פרואלקטרי (FEFET T HFO2). חומר חדשני זה יכול לחולל מהפכה בתחום הזיכרון הלא-מולקולרי על ידי כך שהוא מציע סקלביליות משופרת ותאימות עם תהליך מוליך למחצה מתכת-תחמוצת משלים (CMOS). ניתוח זהיר על ידי מחבר המאפיינים של סרטים דקים HfO2 והתנהגותם תחת פרמטרים שונים של תהליך מספק מידע רב ערך על התרחשותה של פרואלקטריות במערכת זו. הספר מתחיל בחקר הצורך להבין את תהליך האבולוציה הטכנולוגית ואת השפעתה על הידע המודרני. המחבר מדגיש את החשיבות של פיתוח פרדיגמה אישית של תפיסה טכנולוגית המעריכה את הישרדות האדם ואחדותו בעולם מלא סכסוכים ופילוגים. פרספקטיבה זו חיונית להבנת המשמעות של FEFETs והפוטנציאל שלהם לשינוי טכנולוגיית זיכרון לא-מולקולרי עתידי. הפרק הראשון מתעמק בהיסטוריה של FEFET ובמגבלותיהם הנוכחיות, ומדגיש את הצורך הדחוף בחומרים ושיטות חדשים כדי להתגבר על אתגרים אלה. המחבר מציג את סי HfO2 כאלטרנטיבה מבטיחה לפרובסקיט פרואלקטרי קונבנציונלי, אשר דן בפירוט במאפייניו ויתרונותיו הייחודיים.''

Ferroelektrik Alan Etkili Transistörlerin Ferroelektrik HfO2 İnce Filmlere Dayalı Elektriksel Karakterizasyonu kitabı, silikon katkılı hafniyum oksit ince filmlere ( HfO2) dayanan ferroelektrik alan etkili transistörlerin (FeFET) gelişimi ve potansiyeli hakkında derinlemesine bir çalışmadır. Bu yenilikçi malzeme, tamamlayıcı metal oksit yarı iletken (CMOS) işlemiyle daha iyi ölçeklenebilirlik ve uyumluluk sunarak uçucu olmayan bellek alanında devrim yaratabilir. HfO2 ince filmlerin özelliklerinin ve çeşitli proses parametreleri altındaki davranışlarının yazarı tarafından dikkatli bir şekilde analiz edilmesi, bu sistemde ferroelektriğin oluşumu hakkında değerli bilgiler sağlar. Kitap, teknolojik evrim sürecini ve bunun modern bilgi üzerindeki etkisini anlama ihtiyacının incelenmesiyle başlıyor. Yazar, çatışma ve bölünme ile dolu bir dünyada insanın hayatta kalmasına ve birliğine değer veren kişisel bir teknoloji algısı paradigması geliştirmenin önemini vurgulamaktadır. Bu bakış açısı, FeFET'lerin önemini ve gelecekteki uçucu olmayan bellek teknolojisini dönüştürme potansiyellerini anlamak için gereklidir. İlk bölüm, FeFET'in tarihini ve mevcut sınırlamalarını inceleyerek, bu zorlukların üstesinden gelmek için yeni materyallere ve yöntemlere olan acil ihtiyacı vurgulamaktadır. Yazar daha sonra HfO2'yi geleneksel perovskite ferroelektriklere umut verici bir alternatif olarak sunar ve benzersiz özelliklerini ve avantajlarını ayrıntılı olarak tartışır.

كتاب التوصيف الكهربائي للترانزستورات ذات التأثير الميداني الحديدي المستند إلى الأفلام الكهروحمرية HfO2 الرقيقة هو دراسة متعمقة لتطوير وإمكانات الترانزستورات ذات التأثير الميداني الحديدي (FeFET) القائمة على أكسيد الهافنيوم المنشط بالسيليكون أفلام رقيقة ( HfO2). يمكن لهذه المادة المبتكرة أن تحدث ثورة في مجال الذاكرة غير المتقلبة من خلال توفير قابلية توسع وتوافق محسنين مع عملية أشباه موصلات أكسيد المعادن التكميلية (CMOS). يوفر التحليل الدقيق الذي أجراه مؤلف خصائص الأغشية الرقيقة HfO2 وسلوكها في ظل معايير عملية مختلفة معلومات قيمة حول حدوث الكهرباء الحديدية في هذا النظام. يبدأ الكتاب بدراسة الحاجة إلى فهم عملية التطور التكنولوجي وتأثيرها على المعرفة الحديثة. ويشدد المؤلف على أهمية وضع نموذج شخصي للتصور التكنولوجي يقدر بقاء الإنسان ووحدته في عالم مليء بالصراع والانقسام. هذا المنظور ضروري لفهم أهمية FeFETs وإمكاناتها لتحويل تكنولوجيا الذاكرة غير المتقلبة في المستقبل. يتعمق الفصل الأول في تاريخ FeFET وقيودها الحالية، ويسلط الضوء على الحاجة الملحة إلى مواد وطرق جديدة للتغلب على هذه التحديات. ثم يقدم المؤلف HfO2 كبديل واعد للكهرباء الحديدية التقليدية للبيروفسكايت، ويناقش بالتفصيل خصائصها ومزاياها الفريدة.

강유전체 HfO2 얇은 필름을 기반으로 한 강유전체 전계 효과 트랜지스터의 전기 특성화 책은 실리콘-도핑 된 산화 하프늄 박막 ( HfO2) 을 기반으로 한 강유전체 전계 효과 트랜지스터 (FEFET) 의 개발 및 잠재능력에 대한 연구입니다. 이 혁신적인 재료는 보완적인 금속 산화물 반도체 (CMOS) 공정과 향상된 확장 성 및 호환성을 제공함으로써 비 휘발성 메모리 분야에 혁명을 가져올 수 있습니다. HfO2 박막의 특성 및 다양한 프로세스 파라미터에서의 동작에 의한주의 깊은 분석은이 시스템에서 강유전체 발생에 대한 유용한 정보를 제공합니다. 이 책은 기술 진화 과정과 현대 지식에 미치는 영향을 이해해야 할 필요성에 대한 연구로 시작됩니다. 저자는 갈등과 분열로 가득 찬 세상에서 인간의 생존과 연합을 소중히 여기는 기술 인식의 개인적인 패러다임을 개발하는 것의 중요성을 강조합니다. 이러한 관점은 FeFET의 중요성과 미래의 비 휘발성 메모리 기술을 변화시킬 수있는 잠재력을 이해하는 데 필수적입니다. 첫 번째 장은 FeFET의 역사와 현재의 한계를 탐구하여 이러한 과제를 극복하기위한 새로운 재료와 방법의 긴급한 필요성을 강조합니다. 그런 다음 저자는 HfO2를 기존의 페 로브 스카이 트 강유전체에 대한 유망한 대안으로 제시하여 고유 한 특성과 장점을 자세히 설명합니다.

強誘電体HfO2薄膜に基づく強誘電体電界効果トランジスタの電気特性評価は、シリコンドープ型ハフニウム酸化物に基づく強誘電体電界効果トランジスタ（FeFET）の開発と可能性の詳細な研究ですフィルム（ HfO2）。この革新的な材料は、拡張性と相補的な金属酸化物半導体（CMOS）プロセスとの互換性を向上させることにより、不揮発性メモリ分野に革命をもたらす可能性があります。 HfO2薄膜の特性の著者による慎重な分析と様々なプロセスパラメータの下での動作は、このシステムにおける強誘電性の発生に関する貴重な情報を提供します。この本は、技術進化の過程と現代の知識への影響を理解する必要性の研究から始まります。紛争と分裂に満ちた世界での人間の生存と団結を重視する技術認識の個人的パラダイムを開発することの重要性を強調している。この視点は、FeFETの重要性と将来の不揮発性メモリ技術を変革する可能性を理解するために不可欠です。第1章では、FeFETの歴史と現在の限界を掘り下げ、これらの課題を克服するための新しい材料と方法の緊急の必要性を強調します。著者は次に、 HfO2を従来のペロブスカイト強誘電体に代わる有望な代替物として提示し、そのユニークな特性と利点について詳細に議論します。

「基於鐵電HfO2薄膜的鐵電場晶體管的電氣表征」一書是對基於矽合金氧化鎂薄膜（ HfO2）的鐵電場晶體管（FeFET）的發展和潛力的深入研究。這種創新的材料可以徹底改變非易失性存儲器領域，提供增強的可擴展性和與互補金屬-氧化物半導體（CMOS）工藝的兼容性。作者對 HfO2薄膜的性質及其在不同工藝參數下的行為進行了仔細分析，為該系統中發生段電氣化提供了寶貴的信息。本書首先研究了解技術進化過程及其對現代知識的影響。作者強調了開發個人技術感知範式的重要性，該範式重視人類在充滿沖突和分裂的世界中的生存和團結。這種觀點對於了解FeFET的重要性及其轉換未來非易失性內存技術的潛力至關重要。第一章深入探討了FeFET的歷史及其當前的局限性，強調迫切需要新的材料和方法來克服這些問題。然後，作者提出了 HfO2作為常規鈣鈦礦segnetoelects的有希望的替代品，詳細討論了其獨特的特性和優勢。