The book provides a detailed analysis of the structure and properties of thin films obtained by CVD methods and their application in nanoelectronics. The book 'Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники' (Fundamental Basis of Chemical Vapor Deposition Processes and Structures for Nanoelectronics) is a comprehensive guide to understanding the process of chemical vapor deposition (CVD) and its applications in the field of nanoelectronics. As technology continues to evolve at an unprecedented pace, it is essential to develop a personal paradigm for perceiving the technological process of developing modern knowledge as the basis for the survival of humanity and the survival of the unification of people in a warring state. This book provides a detailed analysis of the structure and properties of thin films obtained by CVD methods and their application in nanoelectronics. The monograph presents the results of the development of the processes of chemical vapor deposition of metal and dielectric films using nontraditional volatile starting compounds, namely complex compounds of metals and organosilicon compounds synthesized at INH SB RAS and IrIH SB RAS. The authors explore the principles of selection of initial compounds based on the study of their thermodynamic properties and thermodynamic modeling of MO CVD processes.

В книге дан подробный анализ структуры и свойств тонких пленок, полученных методами CVD, и их применения в наноэлектронике. Книга 'Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники'(Фундаментальное Основание Химических Процессов Смещения Пара и Структур для Наноэлектроники) является подробным руководством по пониманию процесса химического смещения пара (CVD) и его заявлений в области наноэлектроники. Поскольку технологии продолжают развиваться беспрецедентными темпами, важно выработать личную парадигму восприятия технологического процесса развития современных знаний как основы выживания человечества и выживания объединения людей в воюющем государстве. В этой книге представлен подробный анализ структуры и свойств тонких пленок, полученных методами CVD, и их применение в наноэлектронике. В монографии представлены результаты разработки процессов химического осаждения из паровой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезированных в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Авторы исследуют принципы отбора исходных соединений на основе изучения их термодинамических свойств и термодинамического моделирования процессов МО ССЗ.

livre donne une analyse détaillée de la structure et des propriétés des films minces obtenus par les méthodes CVD et de leurs applications en nanoélectronique. livre « Bases fondamentales des processus de dépôt chimique de films et de structures pour la nanoélectronique » est un guide détaillé pour comprendre le processus de déplacement chimique de la vapeur (CVD) et ses déclarations dans le domaine de la nanoélectronique. Alors que la technologie continue d'évoluer à un rythme sans précédent, il est important d'élaborer un paradigme personnel de la perception du processus technologique du développement des connaissances modernes comme base de la survie de l'humanité et de la survie de l'unification des peuples dans un État en guerre. Ce livre présente une analyse détaillée de la structure et des propriétés des films minces obtenus par les techniques CVD et de leur application en nanoélectronique. La monographie présente les résultats de la mise au point de procédés de dépôt chimique en phase vapeur de films métalliques et diélectriques utilisant des composés de départ volatils non traditionnels, à savoir des composés métalliques complexes et des composés organosiliciques synthétisés dans l'INX RAN et l'IrIH RAN. s auteurs étudient les principes de sélection des composés de départ sur la base de l'étude de leurs propriétés thermodynamiques et de la modélisation thermodynamique des processus de MD du CCG.

libro ofrece un análisis detallado de la estructura y las propiedades de las películas finas obtenidas mediante técnicas CVD y sus aplicaciones en la nanoelectrónica. libro «Fundamentos fundamentales de los procesos de deposición química de películas y estructuras para la nanoelectrónica» (Base fundamental de los procesos químicos de desplazamiento de vapor y estructuras para la nanoelectrónica) es una guía detallada para entender el proceso de desplazamiento químico de vapor (CVD) y sus declaraciones en el campo de la nanoelectrónica. A medida que la tecnología continúa evolucionando a un ritmo sin precedentes, es importante desarrollar un paradigma personal de percepción del proceso tecnológico del desarrollo del conocimiento moderno como base para la supervivencia de la humanidad y la supervivencia de la unión de los seres humanos en un Estado en guerra. Este libro presenta un análisis detallado de la estructura y las propiedades de las películas finas obtenidas mediante técnicas CVD y su aplicación en la nanoelectrónica. En la monografía se presentan los resultados del desarrollo de procesos de deposición química a partir de la fase de vapor de películas metálicas y dieléctricas utilizando compuestos de origen volátiles no convencionales, a saber, compuestos complejos de metales y compuestos orgánicos de silicio sintetizados en INH CON HERIDAS e IRih CON HERIDAS. autores investigan los principios de selección de compuestos originales basados en el estudio de sus propiedades termodinámicas y la modelización termodinámica de los procesos MoMO del CCG.

O livro fornece uma análise detalhada da estrutura e das propriedades dos filmes finos obtidos pelos métodos CVD e suas aplicações no nanoeletrônico. O livro «Fundamentos fundamentais dos processos de deposição química de filmes e estruturas para nanoeletrônica» (Fundamento fundamental dos Processos Químicos de Deslocamento do Pará e Estruturas para Nanoeletrônica) é uma orientação detalhada para a compreensão do processo de deslocamento químico do vapor (CVD) e suas declarações sobre nanoeletrônica. Como a tecnologia continua a evoluir a um ritmo sem precedentes, é importante desenvolver um paradigma pessoal para a percepção do processo tecnológico do desenvolvimento do conhecimento moderno como base para a sobrevivência da humanidade e para a sobrevivência da união das pessoas num estado em guerra. Este livro fornece uma análise detalhada da estrutura e das propriedades dos filmes finos obtidos pelos métodos CVD e sua aplicação no nanoeletrônico. A monografia mostra os resultados do desenvolvimento de processos de deposição química a partir da fase a vapor de filmes metálicos e dielétricos usando compostos de origem voláteis não convencionais, nomeadamente compostos complexos de metais e compostos siliconorgânicos sintetizados em INH CO RANA e IRIH CO RANA. Os autores investigam os princípios da seleção dos compostos de origem a partir do estudo das suas propriedades termodinâmicas e da modelagem termodinâmica dos processos do MO.

Il libro fornisce un'analisi dettagliata della struttura e delle proprietà delle pellicole sottili ottenute con i metodi CVD e della loro applicazione nella nanoelettronica. Il libro «Basi fondamentali dei processi di deposizione chimica di pellicole e strutture per la nanoelettronica» (Base fondamentale dei processi chimici di spostamento del vapore e delle strutture per la nanoelettronica) è una guida dettagliata per comprendere il processo di spostamento chimico del vapore (CVD) e le sue dichiarazioni nel campo della nanoelettronica. Poiché la tecnologia continua a crescere a un ritmo senza precedenti, è importante sviluppare un paradigma personale per la percezione del processo tecnologico dello sviluppo delle conoscenze moderne come base per la sopravvivenza dell'umanità e per la sopravvivenza dell'unione delle persone in uno stato in guerra. Questo libro fornisce un'analisi dettagliata della struttura e delle proprietà delle pellicole sottili ottenute con i metodi CVD e della loro applicazione nella nanoelettronica. La monografia presenta i risultati dello sviluppo di processi di deposizione chimica dalla fase a vapore di pellicole metalliche e dielettriche utilizzando composti di origine volatili non convenzionali, ovvero composti complessi di metalli e composti organici di silicio sintetizzati in INH CO RUN e IRIH CO RUN. Gli autori studiano i principi della selezione delle connessioni di origine in base alle loro proprietà termodinamiche e alla simulazione termodinamica dei processi di MS.

Das Buch liefert eine detaillierte Analyse der Struktur und Eigenschaften von Dünnschichten, die mit CVD-Verfahren hergestellt wurden, und ihrer Anwendungen in der Nanoelektronik. Das Buch „Fundamentals of Chemical Deposition Processes of Films and Structures for Nanoelectronics“ (Grundlagen chemischer Dampfverschiebungsprozesse und Strukturen für die Nanoelektronik) ist ein detaillierter itfaden zum Verständnis des chemischen Dampfverschiebungsprozesses (CVD) und seiner Aussagen im Bereich der Nanoelektronik. Da sich die Technologie in einem beispiellosen Tempo weiterentwickelt, ist es wichtig, ein persönliches Paradigma für die Wahrnehmung des technologischen Prozesses der Entwicklung des modernen Wissens als Grundlage für das Überleben der Menschheit und das Überleben der Vereinigung der Menschen in einem kriegführenden Staat zu entwickeln. Dieses Buch bietet eine detaillierte Analyse der Struktur und Eigenschaften von dünnen Schichten, die mit CVD-Methoden hergestellt wurden, und deren Anwendung in der Nanoelektronik. Die Monographie präsentiert die Ergebnisse der Entwicklung chemischer Gasphasenabscheidungsprozesse von Metall- und dielektrischen Filmen unter Verwendung unkonventioneller flüchtiger Ausgangsverbindungen, nämlich Metallkomplexverbindungen und Organosiliciumverbindungen, die in den INH CO RAS und IrIH CO RAS synthetisiert wurden. Die Autoren untersuchen die Prinzipien der Auswahl von Ausgangsverbindungen auf der Grundlage der Untersuchung ihrer thermodynamischen Eigenschaften und der thermodynamischen Modellierung von CVD-MO-Prozessen.

Książka zawiera szczegółową analizę struktury i właściwości cienkich folii uzyskanych metodami CVD oraz ich zastosowania w nanoelektronice. Książka „Fundamentalne fundamenty chemicznych procesów osadzania filmów i struktur dla nanoelektroniki” (Fundamentalna fundacja procesów chemicznych i struktur wyporności oparów dla nanoelektroniki) jest szczegółowym przewodnikiem do zrozumienia procesu wyporu pary chemicznej (CVD) i jego twierdzeń w dziedzinie nanoelektroniki. Ponieważ technologia nadal rozwija się w bezprecedensowym tempie, ważne jest, aby rozwijać osobisty paradygmat postrzegania technologicznego procesu rozwoju nowoczesnej wiedzy jako podstawy do przetrwania ludzkości i przetrwania zjednoczenia ludzi w stanie wojennym. Niniejsza książka przedstawia szczegółową analizę struktury i właściwości cienkich folii uzyskanych metodami CVD oraz ich zastosowania w nanoelektronice. Monografia przedstawia wyniki rozwoju procesów osadzania pary chemicznej dla folii metalowych i dielektrycznych z wykorzystaniem nietradycyjnych lotnych związków wyjściowych, mianowicie złożonych związków metali i związków organosilikonu syntetyzowanych w INX SB RAS i IrIH SB RAS. Autorzy badają zasady doboru początkowych związków na podstawie badania ich właściwości termodynamicznych i termodynamicznego modelowania procesów CVD MO.

הספר מעניק ניתוח מפורט של המבנה והתכונות של סרטים דקים המתקבלים על ידי שיטות CVD ויישומם בננו-אלקטרוניקה. הספר Fundamental Foundation of Chemical Deposition Processions of Films and Structures for Nanoelectronics (Fundament Foundation of Vapor Displacement Chemical Process and Structures) הוא מדריך מפורט להבנת העברה כימית ננואלקטרוניקה. ככל שהטכנולוגיה ממשיכה להתפתח בקצב חסר תקדים, חשוב לפתח פרדיגמה אישית לתפיסה של התהליך הטכנולוגי של התפתחות הידע המודרני כבסיס להישרדות האנושות ולהישרדות של איחוד אנשים במדינה לוחמת. הספר מציג ניתוח מפורט של המבנה והתכונות של סרטים דקים המתקבלים על ידי שיטות CVD ויישומם בננו-אלקטרוניקה. המונוגרפיה מציגה את התוצאות של פיתוח תהליכי תצפית אדי כימיקלים עבור סרטים מתכת ודיאלקטריים באמצעות תרכובות התחלה נדיפות שאינן מסורתיות, כלומר תרכובות מתכת מורכבות ואורגניסיליקון מסונתזות ב-INX SB RAS ו-IRIH SB RAS. המחברים חוקרים את עקרונות הבחירה של תרכובות ראשוניות המבוססות על חקר התכונות התרמודינמיות שלהם ומודל תרמודינמי של תהליכי CVD MO.''

Kitap, CVD yöntemleriyle elde edilen ince filmlerin yapısı ve özellikleri ile nanoelektronikteki uygulamalarının ayrıntılı bir analizini vermektedir. 'Nanoelektronik için Filmlerin ve Yapıların Kimyasal Biriktirme Süreçlerinin Temel Temelleri'(Nanoelektronik için Buhar Yer Değiştirme Kimyasal Süreçlerinin ve Yapılarının Temel Temeli) kitabı, kimyasal buhar yer değiştirme (CVD) sürecini ve nanoelektronik alanındaki iddialarını anlamak için ayrıntılı bir kılavuzdur. Teknoloji benzeri görülmemiş bir hızla gelişmeye devam ederken, modern bilginin gelişiminin teknolojik sürecinin algılanması için insanlığın hayatta kalmasının ve savaşan bir devlette insanların birleşmesinin hayatta kalmasının temeli olarak kişisel bir paradigma geliştirmek önemlidir. Bu kitap, CVD yöntemleri ile elde edilen ince filmlerin yapısı ve özellikleri ile nanoelektronikteki uygulamalarının ayrıntılı bir analizini sunmaktadır. Monografi, geleneksel olmayan uçucu başlangıç bileşikleri, yani karmaşık metal bileşikleri ve INX SB RAS ve IrIH SB RAS'da sentezlenen organosilikon bileşikleri kullanılarak metal ve dielektrik filmler için kimyasal buhar biriktirme işlemlerinin geliştirilmesinin sonuçlarını sunar. Yazarlar, termodinamik özelliklerinin incelenmesine ve CVD MO süreçlerinin termodinamik modellenmesine dayanan başlangıç bileşiklerinin seçim ilkelerini inceler.

يقدم الكتاب تحليلاً مفصلاً لبنية وخصائص الأغشية الرقيقة التي تم الحصول عليها بواسطة طرق CVD وتطبيقها في الإلكترونيات النانوية. كتاب «الأسس الأساسية لعمليات الترسيب الكيميائي للأفلام والهياكل للإلكترونيات النانوية» (الأساس الأساسي للعمليات والهياكل الكيميائية لإزاحة البخار للإلكترونيات النانوية) هو دليل مفصل لفهم عملية إزاحة البخار الكيميائي (CVD) ومطالباته في مجال الإلكترونيات النانوية. مع استمرار تطور التكنولوجيا بوتيرة غير مسبوقة، من المهم تطوير نموذج شخصي لتصور العملية التكنولوجية لتطور المعرفة الحديثة كأساس لبقاء البشرية وبقاء توحيد الناس في دولة متحاربة. يقدم هذا الكتاب تحليلاً مفصلاً لبنية وخصائص الأغشية الرقيقة التي تم الحصول عليها بواسطة طرق CVD وتطبيقها في الإلكترونيات النانوية. تعرض الدراسة نتائج تطوير عمليات ترسيب البخار الكيميائي للأغشية المعدنية والعزلية باستخدام مركبات البداية المتطايرة غير التقليدية، أي المركبات المعدنية المعقدة ومركبات السيليكون العضوي المصنعة في INX SB RAS و IrIH SB RAS. يدرس المؤلفون مبادئ اختيار المركبات الأولية بناءً على دراسة خصائصها الديناميكية الحرارية والنمذجة الديناميكية الحرارية لعمليات CVD MO.

이 책은 CVD 방법으로 얻은 박막의 구조와 특성 및 나노 일렉트로닉스에서의 적용에 대한 자세한 분석을 제공합니다. '나노 일렉트로닉스를위한 필름 및 구조의 화학 증착 프로세스의 기본 기초'(나노 일렉트로닉스를위한 증기 변위 화학 프로세스 및 구조물의 기본 기초) 는 화학 증기 변위 (CVD) 공정과 그 주장을 이해하기위한 세부 안내서입니다. 나노 일렉트로닉스. 기술이 전례없는 속도로 계속 발전함에 따라 인류의 생존과 전쟁중인 사람들의 통일의 생존을위한 기초로서 현대 지식 개발의 기술 과정에 대한 인식을위한 개인적인 패러다임을 개발하는 것이 중요합니다. 상태. 이 책은 CVD 방법으로 얻은 박막의 구조와 특성과 나노 일렉트로닉스에서의 적용에 대한 자세한 분석을 제공합니다. 논문은 비 전통적인 휘발성 출발 화합물, 즉 INX SB RAS 및 IrIH SB RAS에서 합성 된 복잡한 금속 화합물 및 유기 리콘 화합물을 사용하여 금속 및 유전체 필름에 대한 화학 기상 증착 공정의 개발 결과를 제시한다. 저자는 열역학적 특성 및 CVD MO 공정의 열역학적 모델링 연구를 기반으로 초기 화합물 선택 원리를 연구합니다.

本書では、CVD法で得られた薄膜の構造と性質を詳細に解析し、ナノエレクトロニクスへの応用を明らかにした。著書「ナノエレクトロニクスのためのフィルムと構造の化学成膜プロセスの基礎」（ナノエレクトロニクスのための蒸気変位化学プロセスと構造の基礎財団）は、化学蒸気変位（CVD）プロセスとその主張を理解するための詳細なガイドですナノエレクトロニクス。テクノロジーが前例のないペースで発展し続ける中で、人類の生存の基礎としての近代的知識の発展の技術プロセスの認識と、戦争状態における人々の統一の生存のための個人的なパラダイムを開発することが重要です。本書では、CVD法によって得られた薄膜の構造と性質と、ナノエレクトロニクスへの応用の詳細な解析を紹介する。このモノグラフは、INX SB RASおよびIrIH SB RASで合成された複雑な金属化合物やオルガノシリコン化合物など、非伝統的な揮発性の開始化合物を用いた金属および誘電体膜の化学蒸着プロセスの開発の成果を示しています。その結果、CVD MOプロセスの熱力学特性と熱力学的モデリングの研究に基づいて、初期化合物の選択原理を研究した。

本書詳細分析了CVD技術產生的薄膜的結構和性質及其在納米電子學中的應用。本書「納米電子學化學沈積膜和結構過程的基本基礎」（納米電子學化學位移蒸氣過程的基本基礎和納米電子學結構）是了解蒸汽化學位移（CVD）過程及其在納米電子學領域的陳述的詳細指南。隨著技術繼續以前所未有的速度發展，必須建立個人範式，將現代知識的技術發展視為人類生存和人類在交戰國團結的基礎。本書詳細分析了CVD方法制備的薄膜的結構和性質及其在納米電子學中的應用。該專著介紹了使用非常規揮發性原料化合物（即在RAS的INH CO和RAS的IrIX中合成的金屬和有機矽化合物的復合化合物）開發金屬和介電膜化學氣相沈積工藝的結果。作者根據對原始化合物的熱力學性質研究和CVD MO過程的熱力學建模，研究了選擇原始化合物的原理。